土样pH值对固化土抗压强度增长的影响研究

使用化学试剂改变土样的pH值,不同pH值的土样在等量水泥作用下,固化土抗压强度存在显著的差异。为解释上述试验现象,测定了相应固化土孔隙液中主要离子的浓度,并进行热力学计算。结果表明:在相同的水泥掺量作用下,pH值较低的土样形成的固化土孔隙液中Ca(OH)2不饱和,随土样PH值的增加,固化土孔隙液中Ca(OH)2浓度增加,水泥水化生成的胶凝性水化物的量也相应地增多,固化土抗压强度增量也随之提高;当固化土孔隙液中Ca(OH)2浓度由不饱和逐渐变为饱和后,固化土中胶凝性水化物能充分生成,固化土抗压强度达到最大值,且随土样pH值的增加固化土抗压强度基本保持恒定。     

高阶逻辑下知识表示与聚类方法的研究*

针对一阶逻辑在复杂结构数据环境中存在模式搜索空间庞大和不能发明新谓词的缺点,提出了使用类型化的高阶逻辑知识表示语言Escher去表示各种复杂结构的数据,利用其强类型语法有效地约束知识发现过程中模式的搜索空间和高阶的特点去解决新谓词构造的问题。设计了以Escher为基础的复杂结构数据中的知识发现过程和基于复杂结构数据的聚类算法,并以实验验证了其有效性。     

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.     

感受“历程”体味“辉煌”建国50周年成就展包装工业展区巡礼

9月20日,庆贺中华人民共和国50年华诞的喜庆锣鼓敲响了。其中特别响亮、振奋人心的鼓点从北京展览馆传来,建国50周年成就展在这里拉开了大幕。20天来,记者用笔、用相机捕捉着人们只有在节日里方有的笑容,在展区声、光、电营造的五彩世界里,去感受共和国“光辉的历程”,去体味那“永恒的辉煌”。记者以前也曾经参加过众多的展览会,但置身于此次成就展中间,却有了一种与众不同的新感受。新中国的建设成就、新世纪的殷殷企盼,组织者将涵盖经济、政     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

授权如放风筝

常言道,一本好书或者杂志会使人终生受益。在我所读过的书和杂志中,我觉得《中国石油企业》就是这样的好杂志。对于我这名石油化工行业的职工来说,《中国石油企业》就是我的良师益友,它使我掌握了石油化工行业的发展动态,使我了解     

基于加权SimRank的中文查询推荐研究

查询推荐是搜索引擎系统中的一项重要技术,其通过推荐更合适的查询以提高用户的搜索体验。现有方法能够找到直接通过某种属性关联的相似查询,却忽略了具有间接关联的语义相关查询。该文将用户查询及查询间直接联系建模为查询关系图,并在图结构相似度算法SimRank的基础上提出了加权SimRank (简称WSimRank)用于查询推荐。WSimRank综合考虑了查询关系图的全局信息,因而能挖掘出查询间的间接关联和语义关系。然而,WSimRank复杂度太高而难以实用,该文将WSimRank转换为一个状态层次图的遍历和计算过程,进而采用动态规划、剪枝等策略对其进行优化从而可以实际应用。在大规模真实Web搜索日志上的实验表明, WSimRank在各项评价指标上均优于SimRank和传统查询推荐方法,其MAP指标接近0.9。     

用MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a面GaN的独特电学性质研究

Nonpolar （1120） a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane （1102） sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investigated by high-resolution X-ray diffraction （HRXRD）, atomic force microscopy （AFM） and van der Pauw Hall measurement. It is found that the Hall voltage shows more anisotropy than that of the c-plane samples; furthermore, the mobility changes with the degree of the van der Pauw square diagonal to the c direction, which shows significant electrical anisotropy. Further research indicates that electron mobility is strongly influenced by edge dislocations.     

Surface morphology of [110] a-plane GaN growth by MOCVD on [1■02] r-plane sapphire

Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy. As opposed to the c-direction, this particular orientation is non-polar, and it avoids polarization charge, the associated screening charge and the consequent band bending. Both low-temperature GaN buffer and high-temperature AlN buffer are used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and the triangular pits and pleat morphology come forth with different buffers, the possible reasons for which are discussed. The triangular and pleat direction are also investigated. A novel modulate buffer is used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and with this technique, the crystal quality has been greatly improved.