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Lü Miao Zhao Zhengping Lou Jianzhong Gu Hongming Hu Xiaodong Li Qian 吕苗 赵正平 娄建忠 顾洪明 胡小东 李倩 《半导体学报》2004,25(7)
描述了一种串联微波MEMS开关的设计、制造过程,它制作在玻璃衬底上,采用金铂触点,在DC~5GHz,插损小0.6dB,隔离度大于30dB,开关时间小于30μs.对这种微波开关的温度特性和功率处理能力进行了测试,在DC~4GHz,85℃下的插损增加了0.2dB,-55℃下的插损增加了0.4dB,而隔离度基本保持不变.在开关中流过的连续波功率从10dBm上升到35.1dBm,开关的插损下降了0.1~0.6dB,并且在35.1dBm(3.24W)下开关还能工作.和所报道的并联开关最大处理功率(420mW)相比,该结果说明串联开关具有较大的功率处理能力. 相似文献
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SIT的原理 SIT(Static Induction Trans-istor)器件是微电子技术和电力技术融合起来的新一代电力电子器件,其优点是不仅可以控制很大的输出功率,而且工作频率大大增加。综合了BJT和VDMOS的优点,而比BJT的工作频率高,比VDMOS的饱和压降小。将其应用于电 相似文献
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采用CCl_2F_2/O_2的高深宽比硅槽的刻蚀 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析,提出了CCl2F2/O2混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理:在一定功率下,CCl2F2离解出大量的CFx粒子和Cl粒子,在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Si原子反应生成挥发性的SiCl4,产生刻蚀.O2的加入一方面形成钝化层SixOyFz保护侧壁,另一方面通过消耗CFx粒子减少其与Cl粒子的再结合而达到加速目的.探讨了在一定条件下压力和ICP功率对刻蚀速率和各向异性的影响.在大量实验的基础上优化各刻蚀参数,在ICP790设备上刻出了宽3μm,深16μm的窄槽, 相似文献
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微型阀是微流体测量系统的重要组成部分,本文提出了种微型光敏聚酰亚胺被动阀,分析了该材料性能,叙述了微型阀的特点、结构设计和工艺流程,并讨论了加工过程中的一些关键技术。 相似文献