排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
开关型CMOS霍尔磁敏传感器的设计 总被引:1,自引:2,他引:1
介绍一种开关型CMOS霍尔磁敏传感器的设计,采用正交电流的方法和斩波稳零放大器来实现对失调电压的抑制和有效信号的放大,并通过一个定时控制电路实现对整个芯片的管理,在保证测量灵敏度的条件下,使电路中功耗较大的信号检测和放大部分周期性地进入睡眠状态,大大降低了芯片的功耗。同时芯片还实现了对双磁极信号的检测。 相似文献
2.
本文详细描述了电池托盘自动摆放设备的动作功能,以及电气控制系统的设计方法。该设备控制系统采用西门子S7-200PLC控制(CPU224XP加EM221数字量扩展模块),以顺序控制程序为核心控制程序。通过主程序调用自动控制、手动控制、中断控制3个子程序,具备手动调整、自动循环、中断控制功能。该设备实现了托盘摆放的自动化,以机器代人,减轻了操作工的劳动强度,提高了工作效率。 相似文献
3.
4.
超宽带信号的检测及实时处理是电子战(EW)系统工程实现的一个关键问题。本文分析了线性调频信号短时傅里叶变换(STFT)的得益及其工程实现方法,在此基础上提出了一种对超宽带低信噪比LFM信号实时检测、识别的工程实现方法。本文提出的方法已在工程中应用。 相似文献
5.
6.
7.
应用60 Coγ射线照射量率计算法分析比较了4种放射源排列方法和3种辐照操作方式的γ射线利用效率。结果表明,3种操作方式中,换层操作的效率最高,利用率为1.78,其次是分区操作方式,为1.45,源超界的不换层方式最低,为0.85。实行换层操作时,当吊篮高度在1.2m之内时以3层高度收敛排列法(各层间活度比为0.6∶1.8∶0.6)的60 Coγ射线利用率最高,为1.60;当吊篮高度为1.4 m时,3层轻度收敛排列法(0.9∶1.2∶0.9)的60 Coγ射线利用率最高,为1.72;当吊篮高度达到1.6 m时,3层均匀排列法(1∶1∶1)的射线利用率最高,为1.78。 相似文献
8.
9.
KONGXiang-wei XUJian-zhong YEHe-zhou WANGGuo-dong LIUXiang-hua HEXiao-ming BALi-ying 《钢铁研究学报(英文版)》2004,11(1):22-25
The simulation of the work roll temperature field was carried out by means of ANSYS software, and the thermal crown of the roll along its axis was obtained. The thermalstructural coupled element and contact element were introduced. In the simulation of work roll temperature field, the convert boundary condition and the transient thermal contact between the roll and strip were studied. Besides, the dynamic variation of the work roll temperature and the transient temperature distribution of the work roll during hot rolling were investigated. The calculated results were in good agreement with the measured data. 相似文献
10.
YEHe-zhou QIKe-min GAOXiu-hua QIUChun-lin LIUEn 《钢铁研究学报(英文版)》2004,11(4):34-37
The grain oriented silicon strip was rolled by cross shear rolling (CSR) and then an-nealed to manufacture non-oriented thin silicon strip of high quality. The recrystallization ofrolled grain-oriented silicon steel into non-oriented silicon steel was studied. For this purpose,CSR is better than conventional rolling, and the higher the mismatched speed rate is, the betterthe properties of the non-oriented thin silicon strip are. The optimum annealing schedule isheating at 1 000 :C for 1 h in pure hydrogen atmosphere added with H2S of O. 001 0 %. 相似文献