浅谈弹簧管(精密)压力表误差产生的因素及有关注意事项

在弹簧管式压力表的检定规程中,规定了因温度的变化、安装位置的差异等诸多因素引起的附加误差和修正方法.其中,有的误差是已定系统误差,可以修正;有的则因不能确定误差的大小,也无法确定其修正量,只能尽量控制减少,以达到准确测量的目的.因此,在使用中对这些误差的因素及有关使用事项应加以注意.     

聚碳硅烷/二乙烯基苯陶瓷前驱体交联样品的制备

研究了聚碳硅烷交联样品的制备过程，着重讨论了用二乙烯基苯交联聚碳硅烷的条件。结果表明：选择熔点为200℃，摩尔质量为1500g/mol作为熔融纺丝，生产碳化硅纤维前驱体用的聚碳硅烷，以二乙烯基苯为交联剂，氯铂酸异丙醇溶液为催化剂，聚碳硅烷与二乙烯基苯的质量比不能低于1：0．2，二乙烯基苯的用量为20％－40％，交联反应温度120℃时，制成的聚碳硅烷／二乙烯基苯陶瓷前驱体交联样品性能良好。     

聚碳硅烷/聚硅氮烷先驱体体系的交联

考察了Si-C-N陶瓷的先驱体聚碳硅烷（PCS）/聚氮硅烷（PSZ）体系的交联条件。包括交联时间，温度，引发剂和催化剂的种类和用量对交联产物及陶瓷产率的影响。并采用热重分析（TG）法研究了PCS/PSZ体系的交联和裂解过程。结果表明，mpcs:mPSZ:mxylene:mDCP等于2：2：1：0.05，交联条件为温度120℃，压力2MPa。时间6h时，得到的交联产物外观较好。陶瓷产率较高。达到77.8%。     

脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)，X射线能量色散谱仪(EDX)，X射线衍射仪(XRD)，球痕法(ball-Crater)，显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pε)分析不同肓孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明，随着盲孔深度的增加，Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低，薄膜厚度下降，薄膜与基体的结合强度有很大提高，膜基复合显微硬度下降，而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。     

射频等离子体辅助化学气相沉积Ti-B-N薄膜的结构与性能

研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti-B-N薄膜的微观组织结构和力学性能.结果表明:B的加入使Ti-B-N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2非晶(nc-TiN/a-BN/a-TiB2)的复相结构.Ti-B-N薄膜组织致密,晶粒细小,薄膜硬度显著提高.用球盘式磨损实验考察了薄膜的摩擦学特性.与TiN相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制为微观切削与疲劳磨损共同作用,但摩擦系数较TiN稍高.     

PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降.     

一种下拉杆（SZ804）零件的热处理工艺研究

东方红大轮拖SZ804下拉杆材料60Si2Mn，形状为板条状，技术要求HRC37~42要求校平，生产中出现淬火硬度不足及校平中多次出现断裂情况，这个问题长期困扰着我们，通过改进工艺把原来油淬改为水淬，增加回火时间，消除淬火应力。有效地控制了淬火硬度不足，校平断裂等，使问题得到了解决。     

房建工程软土地基处理初探

地基是房屋建筑的基础,一旦地基出现问题,就会直接影响到房屋建筑工程的质量。因此,若要在软土地基上建设构造物,就必须对软土地基采取一定的处理措施,增强地基强度,使其达到建筑物所需的承载能力,以确保建筑物的安全。     

陶瓷先驱体催化裂解研究进展

有机聚合物衍生陶瓷技术具有聚合物分子可设计性强、成型容易和制备温度低等优点,已经成为陶瓷及其复合材料的主要制备技术之一。裂解是陶瓷先驱体实现从有机到无机转化的关键步骤,对目标陶瓷的组成、结构和性能有着决定性的影响。在陶瓷先驱体中添加过渡金属进行催化裂解,可以改变其裂解行为,进而调控和拓展裂解产物的结构和性能。本文从不同过渡金属对陶瓷先驱体的催化裂解作用入手,总结了陶瓷先驱体催化裂解的研究现状,探讨了催化机理,并就后续深化研究与应用提出了发展建议。     

树脂传递模塑—复合材料成型新工艺

树脂传递模塑是一种新型的树脂基复合材料成型方法，具有许多独特的优点，近年来发展迅速。本文全面综述了该方法的工艺过程及研究应用概况，介绍了今后进一步发展的方向。