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分数膨胀现象对社会、学校和学生都具有一定危害性。这一现象的产生有其复杂的内外部原因。学校必须加强管理,消除或抑制这一现象。 相似文献
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用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果,观察到在掺Fe的半绝缘型InP中存在VP-Fe络合物 相似文献
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现代包装设计与消费心理关系 总被引:6,自引:1,他引:6
探讨包装在商品的流通中,消费心理及设计语言与消费者之间如何信息传递.包装设计最主要的功能是保护商品,其次是美化商品和传达信息,除此之外还应运用心理学的范畴,着重探讨研究设计形式因素和分析消费者的各种心理因素.只有这样才能准确地摸索到包装设计与消费者心理活动的规律,从而提高包装设计的效果,促使消费者产生购买商品的欲望与行动. 相似文献
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分析了地方普通高校实施研究生教育创新计划所面临的挑战和机遇,提出了地方高校实施研究生教育创新计划的思路,介绍了地方高校制定研究生教育创新计划、开展研究生创新教育工程的做法。 相似文献
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正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针。正电子湮没寿命可利用时间符合谱仪进行测量,而寿命谱仪的时间分辨函数一般在200-300 ps之间,因此在实际测量中得到的正电子寿命的精确程度是人们广泛关注的问题。本文通过对几种典型样品进行长时间重复测量,并通过改变谱仪的工作状态,研究了各种因素如谱仪的分辨函数、寿命谱总计数、样品中寿命成分个数及各寿命之间的间隔对所分析出的正电子寿命值的影响。研究发现,在谱仪保持状态稳定的情况下,寿命谱的统计测量计数为100万左右时,对于单晶Si中的单个正电子寿命(218 ps),经过重复测量得到的标准偏差小于0.5 ps。对于存在三个寿命分量的高分子材料聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)中,其平均寿命的标准偏差也小于1 ps,其中长寿命成分?3(1.83 ns)的标准偏差仅为0.016 ns。研究还表明,谱仪时间分辩函数的大小对正电子寿命测量值的影响很小。我们的结果证明正电子寿命测量具有较高的统计精度,能准确反映材料中微观结构细小的变化。 相似文献
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分析地方普通院校实施研究生创新教育的重要意义,探讨地方普通高校实施研究生创新教育的不利因素和潜在优势,提出构建地方普通高校研究生创新教育体系的原则:在构建创新教育模式中坚持系统性,在发展战略上实施跨越式发展,在教育资源配置上突出重点,在战略目标上实施品牌战略。 相似文献
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多孔材料由于具有高比表面积、高渗透性、吸附性和可组装性等优异的物理化学性能,被广泛应用于气体吸附、电化学、药物输送、催化剂和催化剂载体等领域。多孔材料的应用性取决于其宏观性质,尤其是孔隙结构的多样性、孔径的可调性、热稳定性等对其大规模实际应用非常重要。利用正电子湮没谱学(Positron Annihilation Spectroscopy,PAS)观察了SBA-15的热稳定性。以正硅酸四乙酯为硅源,P123为结构导向剂,合成了原生有序介孔二氧化硅(SBA-15)和550℃煅烧后的有序介孔二氧化硅(SBA-15)。将上述两种SBA-15在100~1 000℃温度下煅烧处理,观察其孔隙结构的热稳定性变化。采用小角度X射线散射(Small Angle X-ray Scattering,SAXS)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)、高分辨透射电子显微镜(Highresolution Transmission Electron Microscope,HRTEM)、N2吸附/脱附(N2adsorption-desorption)和正电子湮没谱学(P... 相似文献