WD笔记本硬盘技术一览

时下,随着IT市场的成熟和用户应用的不断发展,桌面级硬盘产品和企业级硬盘产品的区别逐渐明显,并且都在不断的提升和进步。而WD作为存储行业的主力军,其产品一直得到业界和市场的认可和关注,新诞生的320G笔记本硬盘更是有着出众的技术特点。     

湖南分布式储能电站集中控制可行性分析

分析分布式储能电站集群控制、 区域控制模式应用于电网调度技术的可行性.参照聚合理论,简单介绍了群控、域控模式应用的特点以及分布式储能电站群控、域控模式的实现方法.结合湖南电网运行特点,介绍了分布式储能电站群控、域控模式应用场景,并进一步提出了群控、域控技术未来的研究方向.     

考虑风电功率序列时间相关性的电力系统动态经济调度

随着高比例可再生能源大规模接入电力系统,其不确定性对经济调度带来了巨大的挑战。针对含风电电力系统经济调度问题,提出了考虑风电功率序列时间相关性的数据筛选方法,并利用versatile-copula分布实现风电功率序列时间相关性建模,以此为基础提出了考虑随机变量相关性的机会约束与风电成本高低估代价计算方法,建立了考虑风电功率序列时间相关性的动态经济调度模型。通过对目标函数和约束条件的转化与分析,将随机优化模型转化为线性约束问题,并利用逐次线性化算法实现准确求解。最后,在含风电的IEEE-30节点和IEEE-118节点算例系统中进行仿真计算,验证了所提考虑风电功率序列时间相关性的调度方法在数据筛选、拟合精度、经济性等方面的有效性。     

基于通用分布的风电功率出力动态场景生成方法

随着大规模风电接入电网,风电功率的不确定性使得电力系统的运行与调度面临着新的挑战。针对风电功率的不确定性,本文提出了基于通用分布的风电功率动态场景生成方法,将风电的不准确性转化为确定性模型。本文首先利用通用分布良好的拟合特性去近似表征风电功率的实际分布,然后对风电的波动性进行建模,通过逆变换抽样的方法生成大量既符合风电的随机性又符合波动性的场景。为了验证所提方法的有效性,本文从场景生成的速度和精确程度方面进行了比较。以实际风电数据为基础的仿真算例验证了所提的基于通用分布的风电功率出力动态场景生成方法的可行性。     

T2000 SiP测试方案介绍

随着SiP系统集成封装越来越广泛的应用,SiP在ATE上的测试面临诸多挑战。通过各种Module的灵活搭配,ADVANTEST T2000测试系统可以提供针对SiP芯片级封装的各个die/chip的功能特性测试,在一个测试平台上完成整个测试的解决方案。并且T2000架构凭借灵活的开放式框架,丰富的测试资源,高效的并行测试构架,人性化的操作界面,以及先进的测试理念为SiP测试提供了更好的低成本解决方案。     

WD笔记本硬盘技术一览

时下,随着IT市场的成熟和用户应用的不断发展,桌面级硬盘产品和企业级硬盘产品的区别逐渐明显,并且都在不断的提升和进步。而WD作为存储行业的主力军,其产品一直得到业界和市场的认可和关注,新诞生的320G笔记本硬盘更是有着出众的技术特点。     

2～3英寸半绝缘LEC GaAs单晶特性分布研究

本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2～3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和经过整锭热处理晶体的特性分布规律,发现有的结果与国外报道的类似,有的结果至今未见报道;一些晶体经过热处理,均匀性有明显改善,但有的就变化不大。这表明,对于不同的原生晶体,可能需要采用不同的热处理条件,才能获得均匀的结果;另外,对所得结果进行了初步的分析和探讨,寻找了电学性质均匀性与晶体完整性的内在关系,为改善晶体的均匀性提供了有用的实验依据。     

Ga_xIn_(1-x)As单晶的制备及其电学特性

本文叙述利用液封法研制Ga_xIn_(1-x)As单晶的工艺和这种单晶的电学特性.三元合金料用直接合成法制备.拉晶速度为每小时3毫米左右.研制的三元单晶的组分为0.92≤x<1.组分沿单晶的长度方向分布比较均匀.Ga在Ga_xIn_(1-x)As单晶中的分凝系数大于1,并随合金熔体中Ga组元含量降低而增加.室温下Ga_xIn_(1-x)As单晶的载流子浓度和电子迁移率分别为n(?)10~(15)cm~(-3)和μ=4～6×10~3cm~2/V·s.最后讨论了合金散射和晶格失配对晶体性质的影响.     

Y-Ba-Cu-O高温超导材料研究

用常规电子陶瓷工艺制备了YBa_2Cu_3O_(7-8)高温超导陶瓷材料。该材料的致密程度良好,密度为4.97g/cm~3(为理论密度的77％)。零电阻温度T_c=91.0K,交流抗磁百分比k达99％。材料具有很好的稳定性和抗潮解性,已用其加工制成微波谐振腔。     

一种LEC-GaAs单晶位锗密度检测和参考面制定的方法

本文从分析LEC-GaAs单晶中wug位错的分布规律出发,结合实验观察,提出了LEC-GaAs单晶{111}和{100}面位错密度检测方法,包括样品制备,位错显示剂和显示条件、测量条件以及取点部位等。 考虑到GaAs单晶的极性对器件工艺的影响,本文提出了一种由位错蚀坑的形状确定极性,在单晶锭上作两个参考面的方法,以保证衬片方位的一致性。