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1.
PCI9052接口电路功能及使用   总被引:4,自引:0,他引:4  
目前,PCI总线是Pentium主机最常见的总线,基于PCI总线形成的Compact PCI和PXI总线已经广泛地应用于仪器和自动化领域。PCI适配卡的接口设计变得越来越重要,本文介绍PCI专用接口芯片PCI9052的功能,并通过一个例子介绍了PCI9052的应用。  相似文献   
2.
宫法明  徐晨曦  李厥瑾 《计算机工程》2022,48(1):275-280+287
对违建场地的检测方法主要是通过人工对无人机航拍视频进行检查,存在检测精度低、识别性能差、工作效率低的问题。提出一种结合空间变换网络与Fast RCNN的生成对抗网络ASTN-Fast RCNN,通过深度学习与无人机航拍视频相结合自动识别检测处在建设初期的违建场地。将空间变换网络作为生成器,生成Fast RCNN目标检测器难以识别的旋转形变样本,并通过目标检测器与生成器的对抗式训练,提高检测器的鲁棒性。实验结果表明,该方法能够有效提高对无人机航拍违建场地的识别性能。  相似文献   
3.
汪菊  付大友  徐晨曦 《现代化工》2014,34(11):168-170
综述了检测食品中亚硝酸盐方法的研究进展,同时分析比较各方法的优劣及应用前景,对检测食品中亚硝酸盐具有参考意义,检测时可根据不同场合选择适合的方法。  相似文献   
4.
<正> 一、引言 离子注入是大规模集成电路制造中的重要工艺,离子注入及其热退火过程中杂质再分布的模拟,对集成电路的设计和制造有很大指导意义。随着集成电路工艺的不断发展,器件尺寸越来越小,已出现了亚微米器件。因此,一维模型已不能很好描述热退火后离子注入杂质的分布,国外已大量应用二维、三维模型来描述。本文在二维离子注入模拟器FUTIS描述的注入杂质分布基础上,导出了在热退火过程中注入杂质再分布的二维解析解。  相似文献   
5.
本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.  相似文献   
6.
采用离子液体1-烯丙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(AmimBF_4)对乙基纤维素(EC)进行复合改性,将混合后的铸膜液,在室温下成膜,采用红外光谱、扫描电子显微镜、差压式气体透过仪对共混膜进行测试。研究结果表明,制得的共混膜柔韧性增强,强度高,气体分离性能有很大提高,与纯EC膜相比,二氧化碳(CO_2)的透过系数达到102.6Barrer,提高了2.5倍,分离系数平均值为41,提高了1倍多。  相似文献   
7.
为解决非线性电路故障特征重叠、交叉造成的故障隔离度低的问题,提出一种基于调幅激励下电路响应谱分解的非线性电路故障特征提取方法.利用慢调幅激励下非线性电路Volterra响应谱的可分离性,通过带通滤波器分解出与Volterra级数对应的响应分量;根据线性电路的频响叠加性原理,分析了Volterra响应分量的故障全息性;再由Volterra响应分量提取非线性电路故障特征。最后,通过仿真实例说明该方法有效性。  相似文献   
8.
利用废旧腈纶织物制备了一种聚丙烯(PP)用大分子紫外屏蔽吸收类型光稳定剂,利用其和通用的受阻酚类光稳定剂分别制备耐候性PP复合材料,并进行了人工加速老化实验。探究了大分子紫外屏蔽吸收类型光稳定剂在PP老化过程中对PP老化降解的影响,并与通用的受阻酚类光稳定剂进行了对比研究。结果表明,大分子紫外屏蔽吸收类型光稳定剂效果明显,在人工加速老化500 h之后,PP的羰基指数高达150.3;而PP/HWPAN-g-TiO2仅为53,与此同时,PP的拉伸强度从25 MPa降至6.9 MPa,下降了72.4 %;而PP/HWPAN-g-TiO2的拉伸强度从29 MPa降至25 MPa,下降13.8 %。  相似文献   
9.
纹理分析窗大小的高斯-马尔可夫随机场模型估计方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
在纹理分析中,窗口大小的选择对所提取特征的有效性及计算速度等有很大影响。文中利用高斯-马尔可夫随机场(GMRF)模型对纹理进行描述,采用最小平方误差估计获取纹理图像的随机场参数,并证明了这种估计的一致性。针对估计式在某些情况下可能无解,对该式作了改进,使其在实际应用中总能有解。利用估计的一致性,提出了一种系统估计纹理分析窗口大小的方法,实验表明了这种方法的有效性。  相似文献   
10.
利用缩醛反应合成了可作为引发剂的化合物4,4-二过氧化叔丁基-1-羟基环已烷,并通过元素分析、1H NMR和FTIR等方法分析鉴定了其化学结构,证明了该化合物被成功合成。同时探讨了不同温度下的合成产率,确定了其最佳反应温度是10℃,产率为86.2%。  相似文献   
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