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1.
CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用有限元分析软件对φ300mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律.随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低.随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低.随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大.通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果.  相似文献   
2.
对硅片清洗设备的日常维护从清洗工艺的角度进行了分析,并对具体问题的处理方案进行了阐述,从而使清洗设备工作更加稳定。  相似文献   
3.
随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视.通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律.结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响.随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小.而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低.但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变.  相似文献   
4.
300mm硅片化学机械抛光技术分析   总被引:9,自引:1,他引:9  
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.  相似文献   
5.
在交流伺服系统中,干扰是影响系统性能的主要因素,常用干扰观测器来加以抑制,但干扰观测器需要依靠电动机的反馈转速来估算并补偿干扰。为了减少反馈转速的测量误差,提高干扰观测器的性能,在分析了原有几种速度测量方法的特点基础上,提出了一种在宽转速范围内测量精度都较高的速度测量方法,即同步测速法,并从分析T法能获得较高测量精度的原因出发,介绍了同步测速法的原理,同时针对该方法在低速或稳定状态时检测时间过长,以及因噪声电流和码盘光栅误差引起的速度脉冲无序变化而对测速精度产生影响等问题,对其算法进行了改进。最后通过仿真和实验验证了这种方法的有效性。  相似文献   
6.
Web技术在嵌入式系统中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在设备上嵌入Web服务器,使设备能与网络Internet无缝连接.嵌入式Web使用Web架构,其开放性和平台独立性能够大大降低系统的设计工作量,同时能提供大量工具和函数库,减少开发的工作量.研究了基于Web控制与检测的嵌人式数控系统的设计与实现过程,将AJAX技术应用于嵌入式数控系统Web检测,可提高实时数据的传输速率.  相似文献   
7.
针对港口集装箱调度过程中单箱操作效率低的不足,提出了利用数字摄影测量技术实现港口集装箱的双箱调度。给出了实际应用中提高精度的方法。试验结果表明,数字摄影测量技术成功应用于港口集装箱调度中。  相似文献   
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