首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
工业技术   7篇
  2015年   2篇
  2014年   2篇
  2011年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
郑春蕾 《装备制造》2014,(12):64-65
11月24日,在两年一度的工程机械行业盛宴2014bauma China展会上,来自美国的ITT,凭借其独树一帜的可靠、高效、节能的电子互联全技术链产品,在开展首日就有八十份订单,赢得了开门红头彩。"随着基础设施建设、新型城镇化的不断推进,中国工程机械正在迈向一个更为稳健的增长阶段,行业对高品质、低能耗产品的需求持续提升。中国是ITT公司的全球战略市场之一,我们正是依托企业先进的科技和经验,不断调研本土需求、加深本地合作、  相似文献   
2.
基于DSP的语音识别智能控制系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了语音识别的基本原理及用浮点数字信号处理器(DSP)TMS320C32实现语音识别算法的一些原则和方法,阐述了语音识别的DSP实现技术,系统以预测倒谱参数为特征参数,并采用计算量相对较小的改进的动态时间规整(DTW)算法实现语音参数模板匹配,能够实现特定人、孤立词、小词汇量的语音识别,并用MATLAB进行了算法仿真,从而将语音识别技术应用到智能控制系统中,给出了实验结果和误差分析。试验结果表明,系统正确识别率在89.96%,具有一定的实用价值。  相似文献   
3.
世界清洁消毒行业巨头艺康集团(EcolabInc)近日宣布,其全球第三大研发中心正式签约落户上海浦东。艺康全球资深副总裁、大中华区董事长兼总经理徐  相似文献   
4.
本文首次报道了p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结的实验研究。采用磁控溅射和快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结近红外光电二极管。通过扫描电镜(SEM)得到了薄膜样品的表面形貌。通过在室温下测量获得了器件的电流密度-电压(J-V)特性和光响应特性。p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结光电二极管的J-V特性的测量结果表明该异质结具有整流特性,并且在光照(1.31μm@5mW)下加-1V偏压时产生的电流密度约为1.82mA/cm2,而在无光条件下产生的暗电流密度约为0.537mA/cm2。探测率约为8.8×109cmHz1/2/W。所有的测试都是在室温下完成的。综上,p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结可以被用来当作近红外光电二极管,适合应用于光激发的SiC基器件。  相似文献   
5.
采用磁控溅射FeSi2、Si靶加后续退火法在6H-SiC(0001)衬底上成功制备了β-FeSi2薄膜.采用XRD、SEM、AFM和Raman等测试手段对β-FeSi2薄膜的结构及形貌等特性进行了表征。XRD结果表明,当退火温度从500℃增加到900℃时,溅射的非晶FeSi2薄膜逐步相变为β-FeSi2薄膜,且其最佳的退火温度为900℃;SEM测试结果表明β-FeSi2薄膜表面较为平整、致密,β-FeSi2/6H-SiC界面清晰陡峭,薄膜表面粗糙度(RMS)为0.87nm;β-FeSi2薄膜的光学带隙为0.88eV。由此获得了在6H-SiC衬底上制备多晶β-FeSi2薄膜的最佳工艺条件。  相似文献   
6.
9月11日.“2007中国名牌产品暨中国世界名牌产品表彰大会”于北京人民大会堂举行。在此次表彰会上.共有787家企业的856个产品获得了中国名牌称号。可以说,这也是中国名牌评价开展7年来的又一次硕果累累的盛会。[第一段]  相似文献   
7.
记得今年6月,习近平总书记在中国科学院第十七次院士大会、中国工程院第十二次院士大会上讲话时强调:科技是国家强盛之基,创新是民族进步之魂。今年是甲午年。甲午,对中国人民和中华民族具有特殊的含义,在我国近代史上也具有特殊的含义。回首我国近代史,中华民族遭受的苦难之重、付出的牺牲之大,在世界历史上是罕见的。面对厄运和苦难,中国人民没有屈服,奋起抗争,终于在中国共产党领导下找到了实现中华民族伟大复兴的正确道路。今天,我们比历史上任何时期都更接近中华民族伟大复兴的目标,比历史上任何时期都更有信心、有能力实现这个目标。而要真正实现这个目标,  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号