一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用

本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。     

SOI SRAM测试研究

SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码.     

FPGA的布线开关和互连线段的优化设计

文章以TSMC'0.35μm,三层金属CMOS工艺为基础,对FPGA互连资源中布线开关和互连线段进行了具体分析。研究表明,布线开关中同时混合使用传输门和三态缓冲器以及采用不同逻辑长度的互连线段组合时将会产生较好的面积-延时值。     

基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计

本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提高。并且它的设计简单,在具体的工艺过程中很容易实现。     

基于环偶极子共振的高Q值超材料传感器

提出了一种结构简单且可激发环偶极子共振的全介质超材料，该超材料具有高品质因子（Q）和高灵敏（FOM）值。基于环偶极子共振电流密度和电场分布，分析了超材料能够激发环偶极子的内在物理机制。经模拟计算发现，全介质超材料的Q值和FOM值可分别达到14000以上和672.7/RIU左右。基于谐振子耦合模型和共振波长处的电场分布，分析了超材料全介质开口环间距和探测物厚度对其Q值和环偶极子共振波长的影响机理。该研究可以为设计制备应用于生物、化学探测的高质量环偶极子共振超材料传感器提供理论基础。