用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

Si(111)7×7表面Gd@C82分子的STM研究

用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化.     

俄歇出现电势能谱仪的实验研究

本文介绍一种三电极简易结构的俄歇出现电势能谱仪，并介绍电参量对性能的影响。最后应用它来 作出一些材料的俄歇出现电势能谱。     

纳米电子学

在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.     

Si（337）表面的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)，研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构，发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关，相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完整的平台。高分辨SIM结果显示Si(337)表面平台原子结构为(5512)的周期性结构，表明Si(337)表面退火过程中稳定性较差，易重构成临近的更稳定的高指数面。     

DL—4型真空计

ＤＬ－４型真空计是用压敏电阻作为传感器的低真空计，测量范围为１０２～１０５Ｐａ，该计性能好，价格便宜。本文介绍该真空计的原理结构与特性。     

C_(60)-有机聚合物薄膜的结构

本文讨论了用高真空系统制备的C_(60)－聚已烯薄膜，用透射电子显微镜（TEM）分析了所制备的样品，发现它是单晶薄膜，其晶格结构为面心立方，晶格常数为1．454nm。     

低能电子点源显微镜的研制及初步实验结果

研制了一台集低能电子点源显微镜和场发射显微镜于一体的设备。研制的过程中，解决了包括超高真空的获得，外界振动的隔离，爬行器及其控制电路的设计，场发射电流-电压自动测量，超高真空换样等一系列问题。利用该设备，获得了放大倍数大于10^4的投影像，并且测量了单根多壁碳纳米管的场发射特性。     

使用扫描力显微镜测量表面电容

叙述了两种类型（接触模式和非接触模式）扫描电容显微镜的工作原理,并叙述了不同类型扫描电容显微镜的应用领域。接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电容像和载流子密度像,非接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电容梯义像和分布像。     

单壁碳纳米管和W针尖热处理时残气质谱

分别对W针尖上未组装和组装单壁纳米管理进行热处理,然后对所得残气质谱图进行记录和分析,发现在热处理过程中,脱附出一定量的原子C和原子O,然后结合成为CO和CO2被释放出来。