液晶电视技术的最新进展

介绍液晶显示屏的基本结构以及液晶电视的显像原理 ,并讨论液晶电视技术在视角、反应速度、亮度、对比度、开口率、残像消除等方面的一些新发展 ,对比液晶电视、等离子电视、传统显像管电视的特点。     

不同AlQ厚度黄光OLEDs的研究

制备了一种新型的黄光器件,其结构为：ITO/2T-NATA（15 nm）/NPB（50 nm）/ADN（20 nm）：2%DCJTB：2%TBPe/Al Q（x）/LiF（5 nm）/Al（100 nm）（x=10 nm,15 nm,20nm,25 nm,30 nm）,通过对不同Al Q厚度的黄光器件的性能如发光光谱、效率、亮度-电压曲线进行比较发现Al Q厚度为20 nm时,发光强度、效率和亮度都是最好的,而发光颜色几乎不发生改变.     

ZnO纳米颗粒的分散及光致发光特性

利用火焰喷雾法成功制备了ZnO纳米颗粒,通过对样品的X射线衍射谱（XRD）和场发射扫描电子显微照片（FESEM）分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在10-20nm左右;结合多种物理方法对样品进行分散处理后,FESEM表征显示颗粒间的团聚得到较好改善;光致发光谱表明随着颗粒尺寸的减小,样品的紫外发光和可见发光的强度逐渐增强．     

有机电致发光器件的阴极研究

介绍了用Al/LiF双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),研究了绝缘层LiF对电子注入所起的作用。实验发现,LiF的引入对电子注入起到了显著的促进作用,当LiF层取最佳厚度1nm时,器件发光亮度和效率得到了明显提高,达到了14700cd·m-2和3.117cd·A-1。此外还研究了不同厚度Al阴极对OLED器件性能的影响,实验表明,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为100nm的最佳厚度。     

丝网印刷对表面贴装焊接质量影响的分析

分析了表面贴装工艺流程中影响焊接质量的主要因素，包括丝网印刷、贴片定位、焊料成分、红外再流过程等，其中由丝网印刷引起的焊接质量缺陷约占63％，指出合理选取模板、锡膏及印刷工艺有助于改善表面贴装的整体质量。     

含镁多元合金阴极绿色磷光有机电致发光器件

为进一步提高有机电致发光器件(OLED)电子载流 子的注入水平,简化制备工艺,采用Ca:Mg:Al三元合金作为OLED阴极,制备了结构为ITO/Mo O₃/NPB/TCTA/CBP:GIr1/TPBi/Alq₃/Mg(x%):Ca:Al的绿色磷 光OLED,分析了Mg在提高器件电子注入水平、平衡载流子浓度中的作 用及其原理。实验通过优化合金阴极中Mg的含量,得到了亮度为41830cd/m²、电流效率稳定在26cd/m²左右的高效稳定的绿色磷光O LED。     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

涂饰加工对牛皮鞋面革电导率的影响

在1．01×10^5Pa、相对湿度60％情况下，研究了涂饰加工对铬鞣牛皮鞋面革电导率的影响。通过利用自制皮革电导率测试仪对比测试涂饰前后皮革的电导率发现，涂饰加工能够显著改变皮革材料的电阻率，利用聚胺脂涂饰剂，通过涂饰加工过程使皮革材料的电阻率提高了3．6倍。可以通过比较涂饰前后皮革的电导率变化来检测涂层的质量，判断涂饰加工的效果，从而为检测涂层质量提供了一种无损、快速、方便、简单的物理方法。     

皮革材料导电特性的实验研究

在室温、1个大气压(1.013 25×105Pa)、相对湿度60%条件下,分别测试了铬鞣猪皮鞋面革、牛皮鞋面革、绵羊皮服装革的伏安特性曲线,计算了它们的电导率与电阻率.结果表明,在电压较低的情况下,流过皮革材料的电流与施加的电压成线性关系;铬鞣猪皮鞋面革的电阻率为2.22×108Ω.m,铬鞣牛皮鞋面革的电阻率为3.16×108Ω.m,铬鞣绵羊皮服装革的电阻率为8.77×108Ω.m,在上述条件下皮革材料属于一种半导体材料,根据这一特点探讨了皮革材料在电子信息领域可能的一些新应用.     

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

采用溶胶一凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜，对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响，随着热处理温度的增加，ITO膜随机取向增加，晶粒增大，晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱，晶粒较大，晶格畸变较小，ITO膜的方阻最小。