Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

锡硫化合物包覆的水溶性硒化镉量子点的制备与表征

以Na2S、Na2SnO3、稀盐酸及水合肼为原料成功合成了锡硫化合物(Metalchal cogenidometalates,MCCs)。该化合物在离子溶液中解离出SnS44-或Sn2S46-,这两种低聚阴离子因其电子空间结构特殊而具有配位作用,故能置换CdSe量子点表面原有的长链有机配体,从而实现量子点从有机相到无机相的转移。配体交换后的量子点可以较好地分散在水、氨水、水合肼和二甲亚砜等一系列极性溶剂中。我们分别用透射电子显微镜(TEM)、紫外吸收光谱(UV)、荧光发射光谱(PL)和红外吸收光谱(FTIR)表征了CdSe的分散性、光学性质及表面配体情况。     

反应时间对球状及棒状ZnO纳米晶的影响

本实验采用溶液法合成球状及棒状ZnO纳米晶。X射线衍射分析(XRD)显示合成的纳米晶为六方纤锌矿结构ZnO。紫外可见光(UV-vis)光谱和透射电镜(TEM)图表明通过改变反应时间可以控制ZnO纳米棒的长度。随着反应时间从90min延长到360min,纳米棒的长度可以从25nm长大到60nm。同时,纳米晶的室温光致发光谱(PL)具有强烈的近带边发射,在LED和LD等光电器件上有一定的应用前景。     

铟锡氧（ITO）纳米晶的可控合成

本文研究了ITO纳米晶合成中不同羧酸对产物的形貌的影响。采用简便的“一锅法”,在反应体系中采用直链的正辛酸盐或具有支链结构的2一乙基己酸盐,可以分别得到单分散性较好的球状纳米晶（7．6nm±1．9nm）和纳米花（18．3±2．1nm）。我们认为这是由于反应前驱体具有不同的反应活性,并通过红外实验对这一想法进行了验证。我...