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超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏(GIDL)电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响.发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制,且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用.二维器件模拟结果指出,与SiO2栅NMOSFET相比,LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强. 相似文献
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利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发表的各种形式的非线性Zerbst实验曲线.结论是,产生率的强电场增强是硅中一个普遍效应,不论是对于高缺陷密度样品还是完整晶体样品,这一效应都是存在的.与深耗尽高频C(V)曲线的转折相对应,观察到了等效产生速度的跳变(突然增大).这一现象可用栅下高浓度区价带电子向耗尽区的隧道注入加以说明. 相似文献
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