0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.     

硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取

文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法.结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取.得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好.     

0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试，测试结果表明射频nMOS管的特征频率f_T达到了93GHz, f_max超过了90GHz. 采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟. 在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.     

基于区域化的CMOS模型参数提取方法

根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0．35μm CMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6％。