ZnO/p-Si异质结的光电转换特性

通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.     

ZnO/SiC/Si异质结构的特性

用MOCVD方法在p型单晶Si（100）基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO／SiC／Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性．结果表明,在Si（100）基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC（100）层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．     

中小学生学业评价管理系统设计与实现

地方教育主管部门常常采用抽测的方式评估义务教育阶段的教学质量,而成绩统计是进行中小学生学业评价的前提和基础.运用VFP、SQL Server、Excel和Winsock,开发以C/S模式（Client/Server）为基础的软件管理系统,可以实现区域内学校教学成绩的数据上报和统计分析,确保成绩统计的准确性和高效性.     

图形化继电保护整定计算系统中的数据管理技术

研究了基于SQL Server2000的图形化继电保护整定计算系统中数据管理的设计思想,以及高效的数据管理技术在电网参数管理、图形参数管理及保护定值参数管理中的具体实现。     

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )     

Er3+/Yb3+掺杂NaGd(WO4)2粉体的制备与发光性能

采用水热法成功制备了Er~(3+)/Yb~(3+)双掺杂的NaGd(WO_4)_2纳米粉体,研究了不同络合剂、水热温度对样品形貌和结构的影响。测量了不同Er~(3+)掺杂浓度样品的可见上转换和近红外发射光谱。结果表明:在980nm LD激发下,可观测到样品强烈的绿色上转换发光,对应Er~(3+)的~2H_(11/2)→~4I_(15/2)(530nm)和~4S_(3/2)→~4I_(15/2)(552nm)跃迁,以及较弱的红色上转换和近红外发光,分别对应Er~(3+)的~4F_(9/2)→4I15/2(656nm)和~4I_(13/2)→~4I_(15/2)(1 532nm)跃迁。且随着Er~(3+)掺杂浓度的增加,样品的上转换红绿光和1.54μm附近的近红外光均呈现出先增大后减小的趋势。样品的激发和发射光谱显示,在378nm处的激发峰最强,对应Er~(3+)的~4I_(15/2)→~4 G_(11/2)能级跃迁,最强发射峰位于552nm。根据泵浦功率与发光强度的关系可以得出,红光和绿光的发射主要为双光子吸收过程,但红光还包含了一定的单光子吸收成分。     

基于混合模式的继电保护整定计算一体化系统

目前电网中实际运行的整定计算系统与定值管理系统通常是相互独立的,它们之间的交互和配合实现得很不充分,导致整定计算工作效率低下,定值数据的一致性也难以保证。在综合比较C/S模式与B/S模式优缺点的基础上,提出了采用C/S模式开发整定计算系统,采用B/S模式开发定值管理系统的继电保护整定计算及定值管理一体化系统解决方案,并对一体化系统的安全机制和实现的关键技术进行了研究。实际应用表明,该系统能很好实现继电保护整定计算与定值管理的闭环运行。     

银掺杂ZnO薄膜光电功能材料的研究进展

近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性.这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路.综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向.     

应用RUP开发的继电保护整定计算一体化系统

为了提高继电保护整定计算软件的开发效率和质量,在开发“继电保护整定计算一体化系统”时采用了RUP方法。介绍了RUP方法的特征,研究了一体化系统开发过程中的基于UML的工作流建模,并得出了一体化系统最后的发布模型。对开发过程中的迭代式开发与风险管理进行了讨论。实践证明,一体化系统具有良好的适用性、可重用性和可扩充性。     

准一维ZnO纳米材料及器件的研究进展

准一维纳米ZnO因在微电子和光电子领域具有广阔前景而受到关注.综述了近年来准一维ZnO纳米材料的主流制备方法及其相关机理,介绍了一维纳米阵列的实现方案,总结了各类准一维ZnO纳米器件的研究进展,探讨了研究现状并展望了未来的研究方向.