SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

束传播算法与边界条件的分析和应用

详细介绍了波导器件的模拟方法——束传播算法(BPM)和完好匹配层(PML)边界条件的基本原理，并给出基于有限差分的BPM的应用实例。针对算法中所采用的近似，给出BPM的适用范围和基于有限差分的束传播算法的优化方案。     

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.     

微位移致动器中磁一机械能转换效率的研究

本文研究了微位移致动器中磁能到机械能的转换效率K.计算方法实分别计算其受压状态下的总磁能以及由磁弹耦合作用产生的机械能.通过计算发现Terfeno1-D在其线形工作区间具有85% 左右的转换效率,实压电材料的2～3倍,是一种极具前途的磁致伸缩材料.     

光开关及其在WDM光网络中的应用

介绍了光开关在WDM光网络中的应用情况，简述了光开关的发展概况并着重介绍了硅基SOI光开关的研究进展。     

从OFC 2003看平面光波导器件的发展动向

概述了2003年OFC会议上报道的平面光波导器件，着重介绍了平面光波导器件在新材料、新工艺、新结构方面的新进展和发展方向。     

助熔剂法生长的锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体及生长余料的组分分析

以PbO-PbF2复合体作为助熔剂,采有助熔剂自发成核缓冷法率先制备出成分为（Pb0.94La0.04)(Zr0.37Ti0.18Sn0.45)O3的驰豫型复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧（PLZST）晶体,合适的生长工艺为：助熔剂中PbO与PbF2的摩尔比为0.55:0.45,原料与助熔剂的摩尔比为1：1,保温温度1250℃,保温时间12h,快降温速率为50－100℃／h,慢降温速率为1－5℃/h,快速降温与慢速降温的转变温度为1150℃,本工作对晶体及晶体生长余料中的组分进行了分析,结果表明：对一定组成的初始配料,PLZST晶体组成相对富La,Ti和Zr,生长后的余料相对富Sn,PLZST晶体中存在两种包裹体缺陷,晶体除包裹体以外各元素分布均匀,生长余料中各元素分布较均匀,存在某些元素的相对富集区域。     

超磁致伸缩Tb-Dy-Fe单晶的开裂及粉化研究

本文介绍了冷坩埚提拉法生长Tb-Dy-Fe晶体中所观察到的开裂和粉化现象,分析了生长工艺参数、晶体尺寸、缺陷和化学作用对晶体开裂和粉化的影响,并提出了避免晶体开裂的有效措施.     

湿法腐蚀制备的SOI光波导

用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和1×2 3dB多模干涉分束器,修正了有效折射率和导模传输方法的误差.制作的器件具有低传输损耗(-1.37dB/cm)、低附加损耗(-2.2dB)、良好的均衡性(0.3dB)等优良性能.     

快速响应SOI马赫曾德热光调制器

给出了Y分支MZI热光调制器的模型,实验研制了基于SOI(silicon-on-insulator)的MZI热光调制器,调制器的消光比为-16.5dB,开关的上升时间为10μs,下降时间为20μs,相应的功耗为0.39W.