多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究

据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶     

变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响

为了制备高效多晶硅薄膜太阳电池及其它半导体薄膜光电器件,除了需要选择成膜工艺条件外,还应借助对工艺条件等的控制,实现对膜的电阻率及其剖面分布的有效控制,这在光伏电池及半导体器件研制过程中是很重要的。本工作基于上述目的,在用化学气相沉积法(C.V.D)制备多晶硅薄膜太阳电池过程中,对膜的电阻率及其剖面分布与各种工艺条件的关     

激光静电复印机用酞菁铜——氧化铜体系有机感光体的研制

由于有机感光体有廉价、无毒、原料来源丰富、具有可绕性、便于制备等多种优点,因而被用于多种普通复印机型,而且被用于激光印字机、激光复印机等。为研制适于激光印字机用的OPC感光体,本工作选用了(CuO—CuPC—光敏树脂—Al)体系,以便将感度引向红外波段,获得高光敏、长寿命。将高光敏的无机半导体材料CuO用于制备有机感光体的酞菁体系,至今未见文献报导。1.设备及原材料设备:无锡产H66025超声波振荡器;天津产超细球磨机;     

高温退火对多晶硅太阳能电池性能的影响

提高多晶硅太阳能电池电性能的一种有效方法——高温退火法,讨论了晶界对太阳能电池性能的影响,并给出了退火后多晶硅薄膜的测试结果。     

无定形硅薄膜在静电复印技术中的应用

无定形硅薄膜在静电复印技术中的应用机电部天津复印技术研究所韩桂林化工部天津化工研究院韩坤１９７５年Ｓｐｅａｒ［＇］等人用辉光放电法分解硅烷（ＳＩＨ），并通过掺杂制得性能良好的无定形硅薄膜（ａ－Ｓｔ），无定形硅薄膜作为高光敏的半导体感光材料，被用于太阳...     

“ITO”与太阳能利用

ITO是一种由氧化铟和氧化锡组成的多功能半导体薄膜材料,它可牢固地沉积在玻璃、石英和硅等材料的基板上,具有导电、透可见光及反射红外线的特性,并能与多种半导体材料构成异质结太阳电池。用途相当广泛,引起了人们的重视。