SDBS修饰碳纳米管及其增强聚乳酸复合材料的制备与表征

采用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)对碳纳米管进行表面修饰,并以其为增强体,利用溶剂蒸发法制备了碳纳米管/聚乳酸复合材料.采用红外吸收光谱、偏光显微镜、扫描电镜及拉伸实验研究了SDBS修饰的碳纳米管表面形貌和结构以及碳纳米管/聚乳酸复合材料的链结构、聚集态结构和力学性能.SDBS修饰可使碳纳米管均匀分散于有机溶剂中,并改善...     

无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带

通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构.合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米.同时对纳米带的生长机制作了详细讨论.     

TiNi合金牙弓丝表面环氧树脂/聚四氟乙烯涂层的组织结构与性能

采用浸涂法在硅烷偶联剂表面改性的TiNi合金表面制备环氧树脂/聚四氟乙烯涂层,研究不同硅烷偶联剂对涂层附着力的影响规律。揭示了硅烷偶联剂提高涂层附着力的机制。考察涂层牙弓丝的生物相容性及涂层对TiNi合金中Ni离子析出的影响,并对比涂层与未涂层牙弓丝在口腔正畸中的效果。结果表明:硅烷偶联剂的浓度对涂层与TiNi合金之间的附着力有显著影响,并且随着浓度的增加,附着力先增大后减小。EP/PTFE涂层有效地抑制TiNi合金中Ni离子的析出,同时具有良好的生物相容性。     

竹叶状ZnS纳米带的生成与表征

通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法成功地制备了一种新颖的竹叶状ZnS纳米带。X射线衍射分析和扫描电镜透射电子显微镜,用来对ZnS生长物进行表征,检测显示,所制得的竹叶状纳米带的厚度50～100nm,度宽500～600nm,长度数十微米。透射电镜和选区电子衍射花样表明,制备的纳米带是单晶六角纤锌矿结构。样品的光学性能显示在424nm处有一个强烈的蓝光发射,这种发射是由于氧空位和其他表面态造成的。同时对纳米带的生长机制作了论述。     

AgSbSe2热电材料研究进展

组成元素无毒且储量丰富的AgSbSe₂热电材料因其本身低的热导率使其具有高热电应用潜质,但低电导率导致ZT值低。本文给出了AgSbSe₂热电材料的晶体结构、电子结构及基本物性;综述了近年来提高该材料热电性能的主要策略,如掺杂、空位、复合等;并指出提高载流子迁移率是进一步提高AgSbSe₂热电性能的关键。     

无钴p型方钴矿热电材料的制备及热电性能研究

采用熔体旋甩结合热压烧结技术,制备了无钴p型方钴矿热电材料。利用X射线衍射仪以及扫描电子显微镜对其组织结构进行分析,并对烧结后的样品进行热电性能研究。结果表明,Fe和Ni可有效地取代Co,获得纯的方钴矿相。另外,即使无钴样品的高温ZT值略低于参比样品,但功率因子及低温ZT值基本相当,这对节约Co这一战略资源以及实现产业化应用具有重要的意义。     

Ti含量对Ni53Mn23.5Ga23.5-xTix铁磁性形状记忆合金组织和性能的影响

采用光学显微镜、示差扫描热分析、交流磁化率测试和室温压缩试验等方法系统研究Ti含量对Ni53Mn23.5Ga23.5-xTix (x=0, 0.5, 2, 3.5, 8, 15)合金的显微组织、相变行为、力学行为和磁学特性的影响规律。结果表明：Ti元素在合金中的极限固溶度低于15%;随着Ti含量的增加,合金的相变温度和断裂强度及断裂应变先逐渐增加后降低,其断裂方式由沿晶断裂转变为穿晶断裂再到沿晶断裂;而合金的居里温度随Ti含量的增加逐渐降低     

Co掺杂对NiTiNb形状记忆合金组织和性能的影响

研究了Co掺杂对宽滞后NiTiNb合金的组织结构、相变行为、形状记忆效应和力学性能的影响.结果表明:Co的添加不仅有效抑制了NiTiNb合金中的(Ti,Nb)2Ni相的形成,同时还降低了合金的马氏体相变开始温度(Ms);掺Co在维持相变滞后(111 ℃)较高水平的情况下,使NiTiNb合金的屈服强度、延伸率、恢复力和最大恢复率分别从320 MPa、20%、434 MPa和5.3%增加到460 MPa、24.5%、486 MPa和7.8%.因而合金化是提高NiTiNb合金强度和恢复力的一种有效方式.     

不同等离子源形成的DLC涂层对NiTi合金腐蚀行为的影响

采用等离子浸没离子注入和沉积(PIIID)法分别以C2H2和石墨为等离子源在NiTi合金表面形成DLC涂层来提高该合金的耐腐蚀性.利用Raman光谱和扫描电镜分析膜层结构.利用电化学测试和原子吸收光谱测试涂层前后基体的耐腐蚀性和Ni离子析出.结果表明:采用等离子浸没离子注入和沉积法以乙炔和石墨为等离子源在NiTi合金表面形成均匀致密、结合力良好的DLC涂层.两种涂层都明显地提高了NiTi合金的耐腐蚀性能和有效地抑制了Ni离子的溶出.     

半导体ZnO亚微米钉的合成与表征

使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构ZnO.扫描电镜和X射线衍射分析表明:使用这种方法合成的钉状ZnO具有六方纤锌矿结构;ZnO亚微米钉结构的杆部直径范围在200～400 nm之间, 底座部分的直径一般大于400 nm,有些甚至大到微米级;由于没有使用催化剂,因此推测这种ZnO亚微米钉的生长过程很可能遵循气-固生长机制.此外,还研究了这种ZnO亚微米钉结构的发光特性.