新型智能扭矩转速传感器及其实验研究

提出了一种新型智能的具有网络通信接口的非接触扭矩转速传感器;通过光电方法精密测量旋转轴的扭转角获得动态扭矩和转速;研究了动态扭矩的温度补偿和初始相位补偿问题;采用神经元芯片Neuron3150处理测试信号和组建传感器的网络通信接口。传感器校准实验结果显示:传感器的测量准确度达到0.4%     

新型钽酸锂薄膜热释电系数测试研究

用溶胶-凝胶法在导电的Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了一种1μm厚的新型钽酸锂薄膜;采用直流电压对新制备的薄膜进行了极化;选择了电荷积分法,设计了与钽酸锂薄膜阻抗匹配的测试电路,组建了新的水浴搅拌加热的热释电系数测试系统,完成了薄膜的热释电系数测试。测试结果表明,钽酸锂薄膜有较好的热释电特性,在6V、15min极化条件下,测得热释电系数为122．8μC／m^2K,测试精度为1．14％,说明新开发的测试系统对新材料热释电系数测试具有重要的实用价值。实验误差分析表明,采用适合的搅拌速度和加热功率、采用更高精度的温度传感器,设计完全匹配的测试电路,是进一步提高钽酸锂薄膜热释电系数测试精度的最有效途径。     

声频定向扬声器的研究进展

声频定向扬声器是利用参量阵原理,产生高指向性声频信号的新一代扬声器。就其基本原理、系统特点、研究历史、研究进展与热点、应用领域作了全面阐述。指出该类扬声器是一技术含量高、市场应用前景极为广阔的新型扬声器。目前其在国际上还处于商业化的初级阶段,国内外市场基本还处于未开发状态,因而具有极大的市场发展潜力。     

钽酸锂薄膜红外探测器探测性能的模拟研究

建立了热释电钽酸锂薄膜红外探测器理论模型,用五层薄膜系统模拟了探测器结构,用钽酸锂晶体参数,模拟了探测器结构参数与探测率等性能指标之间的关系,研究了硅衬底厚度和钽酸锂薄膜厚度对探测器性能的影响。模拟结果显示,硅衬底彻底腐蚀形成悬空结构是减小探测器热传导损耗的最有效途径;热释电钽酸锂膜层越薄,器件探测率越高。探测器电压响应同时取决于钽酸锂膜层厚度和探测器外接电路参数。使探测器整体性能最佳的钽酸锂膜层厚度为1～2μm。     

地铁功率波动的概率分布特性分析

地铁是重要的城市用电负荷,地铁功率的随机波动会造成城市电网的电压波动等问题。基于地铁供电系统等值电路,分析了地铁功率波动的机理,根据实测的地铁功率波形,采用滑动平均法分离出地铁功率的min级波动分量,选择t location-scale分布、Logistic分布、正态分布以及极值分布,对地铁主变电站的典型日功率曲线、季度功率曲线min级波动分量的概率密度函数进行了拟合,最终得到其概率分布特征。结果表明,地铁功率波动主要集中在行车时段,而在夜间休车时段波动较小。地铁功率的波动分量一般可近似用t location-scale分布来描述;而在个别出现电压闪变超标的日期,Logistic分布、正态分布具有更好的拟合效果。     

性能驱动的公共建筑空间形体绿色化设计策略探索及实践

大力发展高质量、高效率、高品质的绿色建筑,是落实"双碳"目标、满足百姓健康舒适需求和推进建筑业高质量发展的关键.本文瞄准建筑设计方法创新需求,力图突破传统建筑设计与环境营造策略分离的问题,跳出先设计、后性能优化的流程,从人的行为模式和室内活动需求出发,围绕"部分空间、部分时间"环境营造理念,开展基于"部分空间、部分时间"理念下的性能驱动的公共建筑形体自动生成设计策略和智能优化方法研究,基于案例分析,介绍如何实现"空间—技术—形态"三位一体,环境调控、智能设计与技术场景的交互融合创新路径,并进行工程实践.     

基于ADS-B的飞机预警避撞算法研究

为解决引入广播式自动相关监视技术(ADS-B)后飞机密度加大带来相撞概率增大问题,提出了一种基于ADS-B的飞机预警防撞算法.该算法将飞行冲突区域分为保护和避碰区域,冲突告警分为低级、保护区域和避碰区域告警.该算法有效利用ADS-B提供的数据,在本机的垂直和水平方向分别设计了合理的保护和避碰区域的预警防撞空间和时间门限...     

钽酸锂薄膜溶胶凝胶制备工艺研究

用溶胶–凝胶法在不同衬底上制备了新的钽酸锂薄膜;研究了环氧树脂掺杂、甩胶转速、衬底效应、热处理温度和气氛等薄膜制备工艺条件对薄膜晶向、表面形貌和介电特性的影响。结果表明:当溶胶浓度为0.1mol/L,转速为3000r/min,能制备出均匀、平整、无裂纹的薄膜;控制掺杂环氧树脂在5%左右(质量分数),能提高薄膜与衬底的黏附性;薄膜在氧气气氛下结晶退火,比在氮气气氛下具有更小的介质损耗;n型Si、p型Si和SiO2衬底上钽酸锂薄膜在[012]晶向上具有择优取向性,而Pt衬底上薄膜在[110]、[116]晶向上具有择优取向性。     

新型铁电薄膜底电极TiN的结构与电性能研究

自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性.实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004QΩ·cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因.