甘油糖脂的合成 Ⅰ.1,2-二-O-脂酰基-3-O-(α-D-吡喃半乳糖基)-sn-甘油的合成

采用一种有效的方法合成了具有不同链长的二脂酰基α D 半乳糖型甘油糖脂 .将半乳糖烯丙苷化 ,重结晶得到α D 半乳糖烯丙苷 .随后将糖环的羟基用苄基保护 ,再利用OsO4 /NMO(N 甲基 N 氧吗啉 )的二羟基化条件将 1 O烯丙基氧化成为邻二羟基 ,得到 3 O ( 2′ ,3′ ,4′ ,6′ 四 O 苄基 α D 吡喃半乳糖基 ) sn 甘油 .其与不同链长的脂酰氯进行脂酰化反应 ,然后氢解去掉苄基得到五种二脂酰基α D 半乳糖苷基甘油 .利用1HNMR ,13 CNMR ,2DNMR ,IR和MS对化合物的结构进行了确证 .     

采用组合引导磁场的多注二极管设计

分析了采用单一同轴磁场时强流相对论多注阴极的侧端发射问题,研究了在不同磁场内半径和多注漂移管长度情况下多注电子束的传输效率。研究发现:由于引导磁场尺寸有限,高压下多注阴极杆及多注阴极柱的电子束发射是影响多注电子束传输效率的主要因素,且该部分电子束对多注漂移管入口管壁的轰击直接影响了多注速调管的重频能力。设计了采用永磁铁和同轴磁场组合工作的强流相对论多注二极管,理论分析和模拟计算证明:基于组合磁场的多注二极管可明显减弱甚至抑制多注阴极发射球头以外的电子束发射,并且组合磁场的磁场位形和强度可满足强流相对论多注电子束的高效、稳定传输。     

神经节系列鞘糖脂氨基半乳糖模块的快速合成

以D-氨基半乳糖盐酸盐为原料,经四步反应合成了2-N-三氯乙氧羰酰氨基-半乳糖对甲苯硫苷(3);3经两步区域选择性乙酰化反应合成了4,6-O-二-乙酰基-2-N三氯乙氧羰酰氨基-2-脱氧-β-D-吡喃半乳糖对甲苯硫苷(总收率70%),其结构经1H NMR和ESI-MS确证。     

LiBa0.95-yBO3:0.05Tb3+,yBi3+荧光粉的制备及荧光性质

以硼酸和碳酸盐为原料,用高温固相法制备了可被（近）紫外光（369、254 nm）有效激发的Tb³⁺单掺杂LiBa_1-xBO₃：xTb³⁺（物质的量分数x=0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07）及Bi³⁺和Tb³⁺共掺杂LiBa_0.95-yBO₃：0.05Tb³⁺,yBi³⁺（物质的量分数y=0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07）的2个系列荧光粉,产物的结构和形貌分别用粉末X射线衍射（PXRD）和扫描电子显微镜进行表征。PXRD测定结果表明2个系列的产物均为纯相LiBaBO₃。通过对第一系列产物荧光光谱的测定,筛选出发光强度最好的产物,据此确定铽离子的最佳掺杂量;在此基础上制备出铋离子掺杂量不同的第二系列荧光粉。荧光光谱测定的实验结果表明,Tb³⁺/Bi³⁺共掺杂的荧光粉的发光强度好于Tb³⁺单掺杂的荧光粉,这说明Bi³⁺对Tb³⁺有敏化作用;而且随着Bi³⁺掺杂量的增加,产物的荧光强度表现出先增加后减小的趋势,当Bi³⁺的掺杂量y=0.03时,产物的荧光强度达到最大。Bi³⁺和Tb³⁺之间存在偶极-四极相互作用而进行能量传递。系列荧光粉的CIE坐标显示其发光颜色在一定程度上呈现出由绿色光到白光的渐变趋势。     

Effect of interface-roughness scattering on mobility degradation in SiGe p-MOSFETs with a high-k dielectric/SiO2 gate stack＊

A physical model for mobility degradation by interface-roughness scattering and Coulomb scattering is proposed for SiGe p-MOSFET with a high-k dielectric/SiO2 gate stack. Impacts of the two kinds of scatterings on mobility degradation are investigated. Effects of interlayer （SiO2） thickness and permittivities of the high-k dielectric and interlayer on carrier mobility are also discussed. It is shown that a smooth interface between high-k dielectric and interlayer, as well as moderate permittivities of high-k dielectrics, is highly desired to improve carriers mobility while keeping alow equivalent oxide thickness. Simulated results agree reasonably with experimental data.     

长焦距宽波段光学系统二级光谱及畸变——波差法参数求解(续)

本文论述了用波差法求解星模拟器上的光学系统各透镜光焦度和曲率半径的方法。为了校正长焦距、宽谱段光学系统二级光谱与畸变，系统的前后组分别在正逆光路下，各自保留约同值反号的位置色差及球差，用波像差法能较准确的解出其解。     

稀土氟化物纳/微米材料的水热合成、形成机理和发光性质

研究了稀土氟化物纳/微米材料的设计合成、形貌控制、形成机制以及发光性质.发展了一种简单、整体、没有模板、环境友好的水热方法合成系列稀土氟化物,即用有机添加剂柠檬酸钠(Na3C6H5O7·2H2O)作为配位剂和形貌控制剂,通过改变氟源(NaF,NH4F或NaBF4)和最初溶液的pH值,得到了具有不同成分、晶体结构、尺寸和...     

中小尺寸CdS和CdTe团簇结构与电子性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了中小尺寸II~VI族(CdS)n和(CdTe)n团簇的基态结构、最高占据轨道(HOMO)和最低未占据轨道(LUMO)的能隙、结合能等,比较了(CdS)n和(CdTe)n两种团簇的基态结构,能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等.     

转动传能中的量子干涉--干涉角和转动量子数的关系

沙国河等人在CO(A1∏(v=0)~e3∑-(v=1))体系与He,Ne和Ar碰撞诱导转动传能中首次观测到了量子干涉效应,并测量了干涉度。从理论上进一步研究原子-双原子分子体系碰撞诱导转动传能中量子干涉效应与转动量子数以及能量间隔的关系是十分必要的。我们考虑长程相互作用势,应用一级玻恩近似和直线轨迹近似,分别计算了CO(A1∏(v=0)~e3∑-(v=1))体系和He,Ne,Ar碰撞诱导转动传能中不同转动量子数以及不同能量间隔下的干涉角,得到了干涉角随转动量子数和能量间隔的变化趋势。这些结果对设计、分析这种类型的实验有一定的指导意义。     

激磁电感对直线变压器输出波形顶降的影响

 从理论上分析了激磁电感对直线变压器驱动源输出脉冲波形顶降的影响,使用Pspice软件对理论计算结果进行了模拟验证。理论计算和模拟分析的结果均表明：激磁电感越小,输出脉冲波形的顶降越明显。设计了50 A的偏磁电路并进行了实验,在重复频率为20 Hz时直线变压器驱动源工作稳定,输出脉冲波形前沿约35 ns,平顶约130 ns,幅值约125 kV。与未加偏磁电路的实验结果相比,顶降明显减小（小于5%）,实验结果与理论计算和模拟分析结果基本一致。