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为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。 相似文献
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采用0.11μm 1P6M CMOS工艺设计与研究了一款适用于蓝牙极性调制发射机的两点调制锁相环.为了校正锁相环中两个相位调制路径的环路增益,降低采用该锁相环的发射机的频移键控误差,提出了一种新型的增益校正方法,并基于该方法设计了低相位噪声、低锁定时间的两点调制锁相环电路.芯片的测试结果表明,当压控振荡器震荡在4.8 GHz时,该锁相环在偏离4.8 GHz 10 kHz、1 MHz和3 MHz时的相位噪声依次为-83、-108和-114 dBc/Hz,采用该锁相环的极性调制发射机发射0 dBm信号时频移键控误差为2.97%,该锁相环的芯片面积为0.32 mm~2,整体性能满足蓝牙射频芯片测试规范要求. 相似文献
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