首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   0篇
自然科学   1篇
  2008年   1篇
排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
在等离子体源离子注入(PSII)技术中,被加工材料表明形状的弯曲使附近鞘层中电场结构出现聚焦效应,从而引起离子束流和离子注入剂量在材料表明上分布非常不均匀.在半圆容器表面情况下,这种情况尤为明显.利用MonteCarlo方法,考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位Ar^+注入能量和角度分布及真空室中气压参数的影响.通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量,计算了注入到内底表面的所有离子能量分布和角度分布.在模型中,通过考虑两种主要碰撞过程:电荷交换碰撞和弹性碰撞.对不同工作气压下的离子注入进行了考察.随着中性气体压力的增加,离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞.这些碰撞一方面使离子失去能量,另一方面也使离子改变运动方向,导致注入的低能离子和不垂直于表面入射的离子增多.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号