多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

4-二甲氨基吡啶类离子液体的合成、表征及性质研究

以4-二甲氨基吡啶为原料,经烷基化后得到2种吡啶盐中间体,通过阴离子交换法制备了6种吡啶类离子化合物,其中5种为离子液体,用1H NMR、IR、TG、DSC进行分析和表征,同时考察了6种物质的吸水性和溶解性.结果表明,离子液体的热分解温度均在300℃以上,置于空气中会微量吸水,极易溶于极性溶剂,不溶或微溶于极性小的溶剂.     

非晶半导体超晶格研究进展

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近     

面向随机振动功率谱估计的小波变换去噪算法理论分析*

 针对随机振动功率谱通常存突变或间断现象,在小波去噪处理中,软阈值法使得估计信号在间断处较模糊, 且整体误差大,而硬阈值法在信号的间断点附近会产生伪Gibbs现象。通过对随机振动谱的统计模型进行分析,建立了对数域振动谱噪声的统计模型,并理论推导出根据噪声小波变换系数而设置的滤波阈值与小波变换尺度之间的非线性关系,为小波变换自适应阈值去噪提供依据,在此基础上提出了基于小波变换的振动谱估计自适应去噪通用算法,通过仿真对比实验,结果表明理论分析的有效性。     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

一种低输出纹波的开关电容DC-DC变换器

论述一种新的开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器的拓扑结构。在设计中采用两个附加的对称电容器以及相应的开关,以减少由于输出电容的等效串联阻抗造成的输出电压纹波电平。文中以一个１２Ｖ／５Ｖ的变换器为例讨论了这种方法。ＰＳＰＩＣＥ仿真和实验结果表明该方法是可行的。     

MMT/FeCl_3催化下微波法合成双吲哚甲烷衍生物

探究一种微波辅助MMT/FeCl_3催化吲哚与芳香醛的反应,方便、快速地合成双吲哚甲烷衍生物.研究表明,在CH_2Cl_2中,微波辅助x=15%MMT/FeCl_3催化,产率最高可达94%.催化剂重复使用4次,产率仍可达60%.该方法具有操作简单、反应快、产率高、环境友好等优点,为合成双吲哚甲烷衍生物提供了一条有效途径.     

双功能轴手性联二萘酚酰胺催化蒽酮和硝基烯烃的不对称Michael加成反应

探讨了双功能轴手性联二萘酚酰胺(1b)有机小分子催化蒽酮与硝基烯烃不对称Michael加成反应.研究表明,在35℃条件下,CH_2Cl_2中,0.050 mmol(x=10%)的催化剂存在下,反应20 h,蒽酮与硝基烯烃能有效的进行Michael加成反应,获得较好的产率(79%~88%)和较高的对映选择性(最高85% ee).     

非晶碳化硅薄膜的制备方法及光学性质

本文介绍了为开发大面积非晶碳化硅发光器件而研制的等离子体辉光放电淀积装置及非晶碳化硅薄膜的淀积方法,以及利用透射光谱同时测量薄膜厚度与光学常数的方法,并对生长薄膜的光学性质利用吸收光谱和场致发光谱进行了讨论。