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本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。 相似文献
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陆大荣 《山东大学学报(理学版)》1980,(1)
本文简述了隧道二极管的工作原理,分析了用作高速脉冲讯号源用的隧道二极管的若干基本要求,探讨了制备成所需指标的可能工艺,指出了用平面工艺可以完成性能甚为优越的超高速开关锗隧道二极管,给出了基本工艺条件及试制的初步结果,表明了用平面工艺可制备成当前最快速脉冲讯号源用的开关隧道管。 相似文献
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本文报道了在不同条件下,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法制备掺硼硅薄膜的实验结果。实验发现:(1)反应气体流量是影响掺硼硅薄膜电学特性的一个重要因素,有一最佳流量点存在。(2)硼掺杂硅薄膜的直流电导率与生长温度密切相关。X射线衍射和扫描电镜实验表明:在635℃左右生长的样品可能存在非晶和微晶的混合相,样品的室温直流电导率(σ_d)达10~2Ω~(-1)·cm~(-1)。 相似文献
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一、引言晶体三极管电学参数随温度变化而发生的剧烈变化是限制它们在无线电设备中更广泛应用的重要原因之一.因此,研究晶体三极管电学参数的温度关系能为晶体管的更广泛应用提供有价值的参考资料;同时,把实验结果与理论计算相比较,还可检验理论的正确性.锗合金结P-N-P晶体三极管小讯号参数的温度关系已有一部分实验及理论工作,锗合金扩散结P-N-P晶体三极管小讯号参数温度关系的资料目前还较零星.本 相似文献
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硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大的意义。本文从实验方面研究了硅合金结及扩散结两 相似文献
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本文首次报导了采用Ｐｈａｓｅ－Ｓｈｉｆｉｎｇ Ｍａｒｋｓ（ＰＳＭ）技术实现激光束的集束，实验结果表明ＰＳＭ技术是一种用于激光集束的有效手段。 相似文献
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本文报道了射频溅射制备的α—Si:F膜对硼的气相掺杂与气体流速量、靶的类型等因素的关系;离子注入对①已掺入硼的α—Si:F膜②未掺杂的α—Si:F膜③在纯Ar气氛中溅射的α—Si膜④辉光放电制备的α—Si:H膜电阻率的影响;报道了退火对掺杂膜电阻率的影响;对各种现象的物理机制作了简单的分析。 相似文献
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本文給出了硅合金結n—p—n型晶体管及扩散結n—p—n型晶体管低频h参数溫度关系(—70℃～+170℃)的实驗结果。结果表明这两种晶体管在—70℃～+120℃的温度范圍內h参数相应变化不大。文中还給出了从—70℃～+170℃温度范圍内反向飽和电流I_(co)随温度的变化規律。 相似文献
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应用相移法测量半导体内非平衡载流子寿命是近年来采用较多的方法。当一矩形半导体样品受一调幅光j=j_0+j_0’sin(ωtf+Ψ)照射,且同时通以恒定电流时(图1),样品两端产生一交变电压v_~=-v_0’sin(ωt+Ψ-φ),其中落后的相角φ满足以下关系: 相似文献
