汞阳极氧化的电化学

粗汞含有众多杂质金属，杂质多数以ＨｇｘＭｙ，ＨｇＭ化合物、合金状态溶于汞中，从而影响其在电解过程中的分离效果，利用杂质与汞形成的合金的化学特点和易氧化的特性，在特殊的电解条件下，杂质汞合金阳极氧化固态氧化物微粒与汞分离。实践表明汞阳极氧化法具有效果好、节省能源、减少废液对环境的污染等优点。以其代替汞阳极电解法，作为高纯汞、超纯汞制备过程中的前级提纯方法，能获得更好的效果与效益。     

高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

高优值P型(BiXSb1-X)2Te3热电材料的优化制备工艺

根据影响 P型 (Bi XSb1 - X) 2 Te3半导体热电材料优值系数的主要因素和大量实验结果 ,采用高纯原料、筛选配方、慢速区熔长晶及退火等优化工艺 ,在晶锭的相当长的范围内获得了晶体结构完整、热电性能均匀、优值系数高达 3.46的半导体热电材料     

碲真空蒸馏提纯效果的探讨

真空蒸馏是高纯碲制备过程中重要的中间提纯方法，其提纯效果的优劣直接影响到产品Ｔｅ的纯度，本文分析了真空蒸馏过程中Ｔｅ和杂质的蒸汽压及蒸发速度差异而使两者分离的理论基础，并与实验结果相比较，存在提纯效果偏低状况，因此探讨碲真空器蒸馏过程技术条件参数及杂质行为，状态对碲与杂质分离效果影响，为高纯碲制备工艺的改进提供依据。     

HgI2探测器中晶体表面处理的研究

该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.     

生长速度对N型和P型Bi-Te热电材料性能的影响

本文报导了采用移动加热器法生长 Ｎ 型和 Ｐ型 Ｂｉ Ｔｅ 热电材料时不同生长速度对其性能影响的研究结果．结果表明较低的生长速度导致 Ｎ 型和 Ｐ型合金较完整的晶体结构和较高的优值系数．然而生长速度对各自的热电参数的影响是不同的．对 Ｎ 型合金来说,慢的生长速度导致塞贝克系数增大,热导率和电阻率减小．对 Ｐ型合金来说,塞贝克系数和热导率（较小程度上）随生长速度的变化类似 Ｎ 型合金的变化,但电阻率随生长速度减小而增大,这种现象与 Ｐ型合金中富 Ｔｅ 的第二相存在有关．在研究中也发现,当生长速度较慢且添加的过量 Ｔｅ 较少时,在整个 Ｐ型合金中除了已凝固部分的尾端外没有观察到第二相