首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
自然科学   7篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2009年   1篇
  2003年   3篇
  1996年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 218 毫秒
1
1.
热膨胀是陶瓷材料重要的物理性能.具有超低膨胀特性(α<1×10~(-6)/℃)的陶瓷材料在许多高技术领域有着重要的应用.80年代中期发现了以NaZr_2P_3O_(12)为母相的Na_2O—ZrO_2-P_2O_5-SiO_2系统超低膨胀陶瓷.由于它们还具有优良的抗热冲击性能、低的导热系数和适当的强度,有希望发展成理想的热机部件结构陶瓷材料.这些化合物通常具有磷酸锆钠型结构,属六方晶系(三方晶系,空间群R(?)c).其热膨胀参数可用两个主热膨胀系数α_α和α_(?)即垂直和平行于六方c轴的热膨胀系数来表示.这种由PO_4四面体和ZrO_6八面体共用顶角氧联结形成的开放式骨架结构,其某些离子可被广泛替代,形成一系列类似结构具有相异性能的化合物.本文研究不同组成的磷酸锆锶钾系统陶瓷材料的各个热膨胀系数随温度的变化及各向异性性质,以寻找零膨胀陶瓷的组分及探讨该类陶瓷何以具有超低热膨胀性能的本质.1 实验  相似文献   
2.
硼(B)是强化镍基单晶合金小角度晶界的重要微量元素,但目前关于B对镍基单晶合金显微组织影响的系统报道非常有限。通过对3种不同B含量(质量分数分别为0、0.01%、0.02%)的第二代镍基单晶合金DD11铸态及热处理态组织定量表征,研究了B对相转变温度、(γ+γ′)共晶组织、硼化物的影响。结果表明:B显著降低合金的固液相线,提高铸态共晶组织体积分数;0.01%B的加入,合金中未出现M3B2型硼化物相;而0.02%B的加入,显著促进了骨架状硼化物的形成,降低合金初熔点,引起残余共晶含量的大幅度提高;骨架状硼化物吸收较多的Cr、Mo和W等元素,降低合金的固溶强化效果,可导致单晶合金基体的蠕变性能大幅度降低。研究结果对认识单晶合金中微量元素B的作用机理及优化B成分范围具有理论指导意义。  相似文献   
3.
掺杂TiO2制备低压ZnO压敏陶瓷   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成 阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。  相似文献   
4.
地空导弹训练仿真系统的设计与实现   总被引:8,自引:0,他引:8  
以一类指令制导地空导弹为对象,设计并研制了地空导弹训练仿真器样机,实现了导弹武器系统的多种训练功能,本文提出了该训练仿真器的设计原则;介绍了武器系统的仿真建模方法、监控台的功能和多媒体演示方案;重点展示了训练仿真系统的硬件结构,软件实现手段以及系统所实现的各种训练模式,并分析了系统的时空一致性。  相似文献   
5.
采用光学显微镜和扫描电镜对铸态、固溶态和时效态的第二代镍基单晶合金DD11的显微组织进行定量表征,并测试了不同一级时效处理后的合金1 100℃/140MPa和980℃/250MPa条件下的持久性能。结果表明:合金经过1 320℃/6h固溶处理后,(γ+γ′)共晶相全部溶解,凝固偏析显著降低,合金组织均匀。一级时效温度低于1 160℃时,γ′相为方形,一级时效温度高于1 180℃时,γ′相为球形,γ通道显著变宽,并在通道内析出细小的γ′相。随一级时效温度提高,合金的持久寿命先增大后降低。持久性能与γ′相尺寸、体积分数及形态密切相关。  相似文献   
6.
用固相反应法合成了属于NZP结构的K2xBa1-xZr4(PO4)6固溶体系统,采用逐步推进的最小二乘法对各组成的高温X射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定,精确计算了晶格常数随温度的变化。由轴向膨胀系数αa和αc计算得出的平均线膨胀系数-↑α与由顶杆法热膨胀仪测得的陶瓷样品热膨胀系数基本吻合。  相似文献   
7.
介绍了实现纳米TiO2固载化的各种物理方法,玻璃、硅胶以及金属等不同载体对纳米TiO2光催化活性的影响,对其发展前景进行了展望。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号