FeSi／Cu多层膜的磁性和磁光效应

用射频交流溅射法制备了具有不同层厚的ＦｅＳｉ／Ｃｕ多层膜系列样品。通过铁磁共振谱测量发现：当Ｃｕ层厚度（ｄＣｕ）小于１５Ａ时，ＦｅＳｉ层间发生交换耦合。室温饱和磁化强度测量发现：ｄＣｕ＜１５Ａ，磁化强度随ｄＣｕ减小而明显下降。磁光克尔谱测量则表明：ｄＣｕ＜１５Ａ时，谱线出现异常。将上述三个结果进行综合分析提出如下模型：ｄＣｕ＜１５Ａ，Ｃｕ层中传导电子被反向极化，并通过ＲＫＫＹ相互作用使ＦｅＳｉ层间     

Bi_2DyFe_5O_（12－x）薄膜的磁性及MOSSBAUER研究

利用Ｘ－射线衍射，磁性测量及测量等手段研究了溅射态氧化物薄膜Ｂｉ＿２ＤｙＦｅ＿５Ｏ＿（１２－ｘ）的结构，磁性及晶化过程，得到了一些新的结果。     

PbSrTiO3铁电薄膜隧道结的I-V特性

报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅(PST)薄膜隧道结进行的I-V特性的测量,发现有负阻现象,并首次用表面等离激元和极化波理论对此作了解释.     

Co含量对Fe100-xCox薄膜磁性的影响

通过高真空磁控溅射仪在Si衬底上成功制备了厚度为30nm的Fe100-xCox系列薄膜,并利用X射线衍射仪、振动样品磁强计和铁磁共振对其结构和磁性质进行了研究.X射线衍射结果表明,Co含量的增加使得Fe100-xCox(110)晶峰增强,晶格常数减小,磁性测量表明Co的加入使得薄膜在保持较高矩形比的情况下,饱和磁化强度增加,面内易磁化方向的矫顽力增大.当x=O时饱和磁化强度为1.215×10-1T,矫顽力为1.186×104A/m;当x=50时,饱和磁化强度增至1.810×10-1T,同时矫顽力增大至3.342×104A/m.铁磁共振谱的测量结果给出了其磁各向异性的数值和方向,发现随着Co含量的增加,薄膜的磁各向异性有由易平面向易垂直移动的趋势.