绝缘栅PMOS的SUPREM—SEDAN联机模拟研究

本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理．     

石家庄铁道学院:雄关漫道真如铁而今迈步从头越

“雄关漫道真如铁,而今迈步从头越”,石家庄铁道学院科研工作正以强劲的发展势头,在为国家重点工程科技攻关的同时,积极面向地方经济建设,继续保持和发扬光荣传统和科技优势,创造新的辉煌。     

氧化过程中杂质分凝行为的模拟

本文以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。     

Taurus workbenchyong用于IC制造加工工艺的实验研究

介绍了集成电路虚拟工厂系统TaurusWorkbench。并基于CMOS工艺的特点,在TaurusWorkbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法。     

Taurus workbenchyong用于IC制造加工工艺的实验研究

介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench.并基于CMOS工艺的特点,在Tau-rus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法.     

集成电路工艺设计仿真平台的交互设计

本文介绍了集成电路工艺设计仿真平台的系统集成及交互功能设计等技术实现。该系统成功地使用诸多VB-API函数。完成了集成电路工艺设计仿真平台的系统集成研究。其研究与开发路线对实现适时性的CAD仿真环境的系统集成开发具有一定的可借鉴性。     

微电子领域工艺,器件,电路,CAD技术

本文较全面地介绍了微电子工艺模拟、半导体器件模拟、及电子电路模拟在微电子领域中的应用     

PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟

分析了绝缘栅ＰＭＯＳ—ＦＥＴ结构的工艺及器件模拟数据，获得了衬底电阻车在８～１５Ω·ｃｍ范围内变化时与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系．模拟结果与实验现象相一致．同时，定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为，揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理．     

PECVD氮化硅介质膜Si／N比值的工艺监控

本文介绍了作者在微电子工艺ＰＥＣＶＤ氮化硅制备过程中对其Ｓｉ／Ｎ比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法。     

Taurus workbenehyong用于IC制造加工工艺的实验研究

介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench。并基于CMOS工艺的特点，在Taurus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究，结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法。