不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响

利用等离子体增强化学气相沉积系统沉积了碳纳米管或纤维，并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构．为避免碳纳米管或纤维在生长过程中从衬底Si表面上脱落，先在Si表面上溅射沉积了金属过渡层Ti或Ta，然后再沉积催化剂NiFe．结果发现Ti和Ta过渡层对碳纳米管或纤维的结构有很大的影响．另外，还发现衬底Si放在支架的不同位置，碳纳米管或纤维的生长方向不同，这可能是由于辉光放电产生的非均匀电场所致．对不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响进行了分析和讨论．     

(1-x)PMN-xPT陶瓷材料弛豫性研究

传统弛豫性研究认为(1-x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃(PMN-PT)二元体系的弛豫性随PT含量的增加呈简单线性减小关系, 而没有对准同型相界(MPB)附近的弛豫性具体研究. 本研究通过对PMN-PT陶瓷材料的研究表明: 在准同型相界(x = 0.32)附近, 弥散因子γ值最大, 弛豫性最强; 在三方相和四方相附近弛豫性逐渐减弱. 此种弛豫性变化的主要原因是由于准同型相界的畴结构复杂, 形成新的有序纳米微畴, 引起MPB组成弛豫性明显增强. 通过电滞回线和Raman光谱对弛豫性的变化规律进行验证, 结果都表明弛豫性在MPB处呈现明显升高的趋势, 验证了该实验弛豫性变化规律的正确性.