GaN基MSM结构紫外光探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0~15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.     

切实加大科技创新力度推动全省发展从资源依赖型向创新驱动型转变——在全省科学技术大会上的讲话

这次全省科学技术大会，是我省深入贯彻落实科学发展观，推动经济社会又好又快发展的一个重大步骤。首先，我代表省委，向获得2006年度山西省科技进步奖的单位和个人，表示热烈的祝贺!向长期以来辛勤工作在科技创新第一线，为我省科技事业作出突出贡献的广大科技工作者，表示崇高的敬意!     

反相HPLC法测定西洛他唑片的含量及有关物质简

目的:建立HPLC法测定西洛他唑片的含量及有关物质.方法:采用Ecosil C18色谱柱(250mm×4.6mm,5μm),以乙腈-0.07mol/L磷酸溶液(用三乙胺调节pH值至2.5)(38∶62)为流动相;流速为1.0mL/min,检测波长为257nm,柱温30℃.结果:在该色谱条件下,主药和有关物质能较好的分离,西洛他唑在2.5~100μg/mL范围内,线性关系良好(r=0.999 9,n=7),平均回收率为101.95%(RSD=0.62%,n=6),检测限为1.6ng,测得样品中的有关物质符合质量要求.结论:本方法简便、准确、可行,精密度高,可用于西洛他唑片的质量控制.?更多还原     

缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响

利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.     

GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 μm为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.     

高功率半导体激光器标准列阵单元及散热器的设计与制作

对高功率半导体激光器的标准列阵单元及散热器进行了设计和制作．采用该标准列阵单元及散热器对不同占空比的二维半导体激光器列阵的测试表明，中间通过插入不同厚度的无氧铜散热片，可有效地把不同负载的热量散发出去，保证器件有效工作，增加可靠性．并且可以通过简单地改变标准单元之间的散热片的厚度，从而改变激光器列阵的散热能力，控制不同的占空比因子。