可迹图的谱半径条件

本文研究的是简单图,它的邻接矩阵是表示顶点之间相邻关系的矩阵,它的最大特征值被定义为图的谱半径。如果图中有一条包含图中所有顶点的路,则称这条路为哈密尔顿路;如果一个图含有哈密顿路,则称该图是可迹图。设图具有最小度条件,本文主要利用图的补图的谱半径给出图是可迹图的充分条件。     

高速双通道A/D数据采集系统及其应用

针对大学物理实验中手动逐点测量数据的落后现状 ,设计了高速双通道数据采集系统 ,能实现在手动调节或自动扫描自变量的同时 ,由计算机自动记录自变量和函数的双通道电压数值 .其特点是利用 DMA(直接数据通道传送 )接口技术 ,充分发掘 A/ D转换芯片的固有高速性能 .本方法对大学物理实验手段的提高具有实用价值     

伴随Ce_2Co_(15-x)Al_(2+x)固溶体系的新衍射面

研究了Ce2Co15-xAl2+x固溶体系.随着Al含量的增加,除晶格常数改变外,发现伴有一个强度可观的新的衍射面.预言存在一个新物相,并给出了它在相图中的大致位置.     

X射线衍射仪数据采集系统的软件实现

文章介绍利用汇编语言、 C语言、 Borland C++Builder等开发了基于 Windows环境的智能化实时处理软件 ,成功地实现了对原 X射线衍射仪的数据的采集、处理、实时显示和存盘。     

Sr_2CeO_4物相形成过程的XRD分析

采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比 2∶1 )混合粉料经不同灼烧时间反应后的物相组成 .结果表明在Sr2 CeO4的形成过程中将出现不稳定的中间相SrCeO3,原始粉料CeO2 相会提前消失 ,SrCeO3与SrCO3反应生成最终稳定的目标相Sr2 CeO4.X射线衍射数据显示Sr2 CeO4属正交晶系     

在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究

在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :在铝薄膜的诱导下 α- Si薄膜在温度 550℃附近退火 5min即可达到晶化 ,X-射线衍射分析显示样品退火 30 min形成的硅层基本全部晶化 ,且具有良好的晶化质量 .     

无爪图的谱半径与可迹性

针对无爪图,将谱半径与稳定性相结合,得出了其关于可迹性判定的两个结论。此结论又利用图与补图的谱半径分别刻画无爪连通图是可迹图的充分条件,并利用一系列引理及代数方法加以证明,部分结论优于前人的成果。     

进口X射线衍射仪的计算机数据截获系统

某些进口 X射线衍射仪存在一个棘手的问题 ,即用户无法读取衍射仪所产生的强度——衍射角的原始数据 ,无法做任何系统误差校正 ,如 Rietveld方法所要求 .本文提出一种新颖的软硬件设计方案 :X射线衍射仪的计算机数据截获系统 ,它能有效地截获在线数据 ,该方案不仅能成功的解决上述衍射仪的问题 ,而且对于改装类似的谱仪类仪器也提供了一个有普遍意义的新思路。     

利用Hermite多项式求解动态响应问题的新方法

结合了解析方法和数值方法优点 ,本文提出了一种求解机械振动和电振荡问题的新方法 .在求解动态响应的 Duhamel积分中 ,利用分段 Hermite插值多项式逼近任意激励 ,并推导了相关公式 .由于分段 Hermite多项式的 Duhamel积分有精确解 ,因而和现在常用的逐步积分法相比 ,本方法不但具有高的多的计算精度 ,而且大大减少了计算工作量     

可迹图的谱半径条件

本文研究的是简单图,它的邻接矩阵是表示顶点之间相邻关系的矩阵,它的最大特征值被定义为图的谱半径.如果图中有一条包含图中所有顶点的路,则称这条路为哈密尔顿路;如果一个图含有哈密顿路,则称该图是可迹图.设图具有最小度条件,本文主要研究了利用图的补图的谱半径给出图是可迹图的充分条件.