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利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN/GaN外延层的应变程度,并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN/GaN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式,得出完全应变情况下A1组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合。 相似文献
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