RFID技术原理及其射频天线设计

首先简要介绍RFID技术的基本工作原理,说明射频天线是RFID系统设计的技术关键,然后介绍了几种基本的RFID射频天线及其工作原理,并针对普遍使用的偶极子天线在RFID系统中方向性上的不足提出改进,最后,给出一个具有全向收发功能的RFID天线设计.通过设计仿真工具模拟仿真,并进行实际样品测试,获得较满意的设计结果.     

MgO能带结构的LMTO—ASA计算

来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,该方案仅用16×16阶久期方程,计算量小,准确性高,可以给出MgO的合理的能带结构。     

LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ３Ｎ４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线球得晶体的平衡晶格数ａ１、体模量Ｂ０和结合能Ｅｃｏｈ，引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符。本计算量比从头算赝势法少得多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。     

射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法．在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品，并在纯氩气环境下作了退火处理，用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像，对样品进行研究．XRD分析显示退火前样品为非晶态，退火后为结晶态．并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证．对比退火后样品的XRD图谱显示在其它条件相同时．可以通过增大溅射功率或降低衬底温度．来提高退火后薄膜样品的结晶程度，并增强V2O5(001)晶面的取向性；通过对比退火前样品的XPS谱可知在其它条件相同时，通过升高衬底温度或减小溅射功率．可以提高薄膜样品中高价钒的含量．     

一种适用于低压SC电路的体效应补偿开关

为了减少NMOS开关阈值电压变化引起的信号失真,设计了一种适用于低压开关电容电路的体效应补偿开关,并利用该电路实现了一阶非反相开关电容(SC)低通滤波器.基于0.5μm标准CMOS工艺(Vtno=0.7 V,Vtpo=1.0 V)的SPICE仿真和总谐波失真(THD)的仿真结果表明:该电路具有很好的线性特性,采用该电路能够达到更优越的性能.     

氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究

利用扫描隧道显微技术(STM)和X-射线光电子能谱(XPS)技术。研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F-HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度。通过分析表面的STM图像与XPS谱图，表明在较高pH值的NH4F-HCl 溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小，且表面洁净度及化学稳定性较好。     

半导体材料特性和参数研究

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格（Gex-Si,InxGa1-xAs/GaAs)光伏效应的机理,测量了不同温度下的光伏谱,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰。计算了导带和价带子带的位置和带宽,根据宇称守恒确定光路迁选择定则,对路迁峰进行指认。研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱,推导了有关计算公式,计算得出电学参数（L、n0 、μ、S、W）、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分;分析了电学参数的温度关系;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级关系,计算了深能级浓度和参数。在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅（SnO2/PS/Si)和二氧化锡/硅（SnO2/Si),测量了它们的光伏谱,分析表明它们存在着异质结。当样品吸附还原性气体（H2、CO、液化石油气）时,光电压有明显变化,因此可做为一种新的敏感元件。分析了它们的吸附机理,计算了有关参数。     

硅温敏二极管研制

由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表明，Ｖｆ－Ｔ特性曲线线性优良，在恒定电流为５０μＡ下，灵敏度最高的可达２．７０ｍＶ／℃．根据测试结果，对提高灵敏度等特性进行一些讨论．     

LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线求得晶体的平衡晶格常数ａ＿０、体模量Ｂ＿０和结合能Ｅ＿（ｃｏｈ），引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符，本文计算量比从头算赝势法少很多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。     

用分区变分法计算锗晶体的能带

本文介绍不计自旋轨道耦合,用分区变分法计算锗晶体的价带和低导带在布里渊区对称点Γ、Χ和L的能量,所得的能量值与主要能级间距数值同现有的理论计算与实验值基本相符。并讨论了原子球半径、球外势场在整个空间的平均值对计算结果的影响。