直流反应溅射α-C:H薄膜

用直流平面磁控反应溅射制备了含氢非晶态碳膜（α－Ｃ：Ｈ），在０．３５－２．５μｍ波长范围内确定了它的光学常数ｎ，ｋ与禁带宽度，包括刚沉积（ＡＤ）与经真空烘烤４５０℃４０ｍｉｎ（ＨＴ）的α－Ｃ：Ｈ膜。红外透射谱、拉曼光谱与电子衍射等分析表明：α－Ｃ：Ｈ为无定形碳与金刚石共存物。热处理后，Ｃ－Ｈ与Ｃ＝Ｏ键减少，而Ｃ＝Ｃ键增加。α－Ｃ：Ｈ作为减反射膜的α－Ｃ：Ｈ／渐变ＳＳ－Ｃ／Ａｌ选择性吸收表面，具有太阳吸收率α≈０．９３（ＨＴ）．发射率ε≈０．０６（８０℃）。     

椭偏术测定吸收薄膜的n、k、d值-多入射角法

本文提出了一种多入射角椭偏术无损测定吸收薄膜ｎ、 ｋ、 ｄ的方法（ＱＷＤ－８４法）。叙述了它的基本原理和数据处理方法，探讨了测定技术中的几个要点，给出了测定流程图，并对玻璃和硅衬底的一些吸收薄膜进行了测定和比较。测定结果表明：该法是一种一次性无损实测吸收薄膜ｎ、ｋ、ｄ值的有效方法，它系统可靠、方便易行，对薄膜参数的测定和成膜工艺的研究有较重要的价值。