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研究了具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治膜的巨磁电阻效应,发现Ni过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ni过渡层的Co/Cu/Co三明治膜的磁电阻值在3.5%和5.6%之间,相应的矫顽力在0.95kA/m附近。因此,材料的灵敏度最大可以达到39%kA.m^-1。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ni过渡层提高了材料的平整度,从而导致大的巨磁电阻值。而电阻 相似文献
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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜,研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到0.9nm时表现出明显的各向异性,而过渡层工小于0.9nm时基本上呈各向同性,巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释,在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有(301)择优取向的Co2Si诱导了三明治膜的这 相似文献
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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜.研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到0.9nm时表现出明显的各向异性,而过渡层厚度小于0.9 nm时基本上呈各向同性.巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释.在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有(301)择优取向的Co 相似文献
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