多层交替沉积后退火处理MgB2超导薄膜上约瑟夫森结的制备

在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.     

用单通道直流高温超导量子干涉器磁强计测量人体心磁

利用单通道直流高温超导磁强计（de-SQUID）,在磁屏蔽室内测量了人体心脏跳动产生的磁场信号。依顺序调整无磁床的位置,得到了在胸前平面5×5正方格子上各点的心磁信号,利用同时记录的心电信号作为时间基准,把心磁信号作平均处理,每隔10ms得到一幅心磁分布图。使用标准的方法,计算了产生心磁的电偶极子矢量和它相对于测量平面的深度。还测量了有右束支传导阻滞病人的心脏的磁场分布,发现它们与正常人的心磁图有明显的不同。