C离子注入Si中Si1-xCx合金的形成及其稳定性

利用离子注入和高温退火的方法在Ｓｉ中生长了Ｃ含量为０．６％～１．０％的Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，研究了不同注入剂量下Ｓｉ１－ｘＣｘ合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Ｓｉ非晶化的剂量，８５０℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与Ｃ原子结合形成缺陷团簇，难于形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，随着注入Ｃ离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，但注入的剂量增大到一定程度，Ｓｉ１－     

场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算

一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见,特别是判别多元化     

非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比

过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后又一重要的化合物半导体材料.与GaAs相比,InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强     

高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷. 在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下, 退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同, 磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷, 而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24, 0.42, 0.54和0.64 eV 4个缺陷, 退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷, 有的只有0.13 eV一个缺陷. 根据这些结果, 讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理.     

Co掺杂CaO材料的铁磁性研究

利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料,并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明,材料为单相的CaO立方结构,Co掺杂导致了晶格常数的减小,表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明,该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性,临界温度高于70K.通过分析认为,材料的铁磁性是由浅施主缺陷O空位与Co离子耦合形成束缚磁极化子引起的.     

紫外LED研究进展

 氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400 nm的紫外波段,可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发展迅速,器件性能不断提升。由于高Al组分AlGaN材料的固有特性,目前深紫外LED的外量子效率和功率效率仍有大量提升空间。综述了近年来AlGaN基紫外LED的研究进展,阐述了限制其性能的AlGaN外延质量、高Al组分AlGaN材料的掺杂效率、紫外LED量子结构、紫外LED光提取效率及可靠性等核心难题以及取得的重要研究进展。预计到2025年,深紫外LED的量产单芯片光输出功率可突破瓦级,功率效率有望提升至20%以上,寿命达到万小时级别。