双离子注入增强退火效应的研究

本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.     

硅脊背形光波导的单模域

本文用耦合理论给出了拓宽的完整的硅脊背形光波导单模区域，在这个区域内，利用脊背高与波导竟之比的一系列取值．可设计出各种大尺寸的单模硅光波导，这给硅波导的设计和制造带来更大的自由度．     

一个新的脊背式硅光波导定向耦合器计算模型

本文提出了一个导波区域的等效折射率模型，并应用介质光波导的强耦合理论和有效折射率方法，给出一个较合理的大尺寸单模脊背式半导体光集成中定向耦合器的理论计算模型。并给出一系列计算结果。     

基于二维遍历搜索法的3RRR并联机器人运动学分析

通过研究3RRR 并联机器人的平面机构特点,用数值方法对其运动学正解进行分析求解,并用解析法对其运动学逆解进行分析求解. 通过MATLAB 仿真,用Pro/E 建模加以验证. 在运动学逆解基础上,运用二维遍历搜索法得到3RRR 并联机构的工作空间. 结论表明,当动平台的旋转角度φ为0°时,其工作空间最大;当旋转角度φ为β/2 时,其工作空间最小.该方法可减小求解工作量,提高计算效率.     

MOS光电开关集成电路

采用电荷积累检测原理构成了ＭＯＳ型单片式光电开关集成电路。该器件具有低功耗、低成本、多功能的特点。文章还对器件的应用情况作了介绍。     

小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究

分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻R_j和MOS沟道电阻R_ch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压V_GS时,器件漏端电流I_DS大小与栅源电压V_GS无关,从而形成准饱和效应.     

用电光晶体测量超快电磁辐射脉冲的几个问题

讨论普遍情况下超快电磁辐射脉冲E₀(t)(THz辐射场)及其电光采样测量值E_m(t)的函数关系.并对THz辐射场与飞秒(fs)探测光束在同一介质内传播时的群速度失配以及辐射场自身色散效应的影响作了分析.     

一个新LiNbO3晶体探测器理论计算方法

对一种新的用于超快电磁脉冲检测的晶体探测器,首次给出一个普遍情况下的理论计算方法,用此方法,不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程标准化,而可以在原主轴坐标系中直接将测量值△φ与辐射场强E₀。连系起来.根据辐射场在晶体中分布与超快脉冲群速度失配,还给出了探测器制作的尺寸要求。     

硅衬底CMOS射频集成电路中金属厚度对平面螺旋电感Q值的影响

该文着重分析金属线厚度对Q值的影响．为此设计了三组电感,它们的金属线厚度分别为5、10和20μm,并用Ansoft HFSS软件进行FEM（finite element method）的仿真．仿真的结果表明,金属线厚度对电感Q值的影响在很大程度上取决于电感内径的大小．因此当金属线厚度超过10μm时,通过进一步增加金属线厚度来改善Q值仍是可能的．