高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器

介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料, 采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器. 4 μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50 mW. 腔长600 μm时, 器件阈值电流密度为300 A/cm2. 在100 mA电流下, 激光器的峰值波长为1.19 μm, 激光器的最大斜率效率为0.45 W/A. 在20℃至100℃温度下, 激光器的特征温度为129 K.     

650nm VCSEL-下一代光通信的光源

由于新型的聚合物塑料光纤(Plastic Optic Fiber,简称POF)的出现,以及其在通信网络领域的应用前景,使得与该种光纤相对应的光源成为极具潜力的光纤通信光源。650nm垂直腔面发射激光器(VCSELs)正是满足这一需要的光电子器件,本文从光纤通信的需求出发,简要介绍了VCSELs的特点。并详尽地说明了现有650nm VCSELs的外延结构以及国内外在该领域的研究现状。同时,针对现有器件的缺点,作者提出了一些技术上的解决方法并阐明了650nm VCSELs的发展方向。     

单核锰配合物[MnCl2（4,2-L）2（H2O）2]·2（4,2-L）·2（H2O）的合成、结构与荧光性质

合成了一种单核锰配合物[MnCl2(4,2-L)2(H2O)2].2(4,2-L).2(H2O)(4,2-L=N-[(4-吡啶基)甲基]-2-吡啶胺),并且对其进行了元素分析、红外、热重、荧光、粉末及单晶X射线衍射等表征。标题配合物属于三斜晶系,P 1空间群,a=0.938 3(19)nm,b=1.056 1(2)nm,c=1.224 6(2)nm,α=90.997(3)°,β=96.304(3)°,γ=109.39(3)°,V=1.135 9(4)nm3,Z=1,R=0.058 9。Mn(II)位于反演中心,每个Mn(II)离子分别与2个配体中的氮原子、2个氯离子和2个水分子配位,形成了六配位的八面体构型。标题配合物之间通过分子内和分子间氢键作用形成了三维氢键超分子网络结构,同时该配合物在室温下于355 nm处表现出较强的紫色荧光发射。