异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算

在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式     

一种基于正弦映射的混沌交织器设计及应用*

移动信道编码中交织器的设计直接影响Turbo码的距离谱和性能,其主要作用是提高低重序列的输出码重和减小译码输出之间的相关性。随机交织器在数据帧较长时性能比较好,通过码序列位置重置实现交织,利用正弦函数的混沌映射有很好的随机性和瞬时正交性的特点,实现了一种新型混沌随机交织器,提高了交织器的误码率性能,并且在伽利略卫星系统中应用达到接近理论值的编码效率和误码率的特性。     

调节阀检修重点及故障处理

调节阀也叫执行器,是自动调节中必不可少的一个环节,在工厂的运用非常普遍,尤其在石油化工行业。结合实践经验,介绍调节阀检修重点、投产时注意事项、运行期间常见故障原因分析及处理。1调节阀检修重点(1)阀体内壁:对使用于高压差及有腐蚀性介质     

跌扩型底流消能工压力分布特性的试验研究

通过水力学模型试验着重分析了突扩比、跌坎深度和入池水流弗劳德数Fr0对消力池底板冲击区动水压力的影响。研究结果表明,在跌扩型底流消能工中,选择合适的突扩比、跌坎深度和入池水流弗劳德数Fr0,能有效降低消力池内底板和边墙的水力学指标。他们在一定的最优组合下,可既保证消力池中消能率高,又能满足消力池底板和边墙处动水冲击压力小的要求,避免造成底板板块的失稳破坏。     

基于传感器融合预测的改进跟踪前馈控制方法研究

针对光电跟踪系统中CCD相机反馈帧率较低，延迟较大导致跟踪高速目标能力差、响应能力差的问题，提出一种基于传感器融合预测的改进跟踪前馈控制方法。为减小融合获得目标高阶运动状态噪声大的问题，提出一种基于微分跟踪的传感器融合策略；针对图像反馈延迟问题，提出一种降阶匀加速Kalman模型，根据融合获得的运动学信息，结合Kalman滤波进行预测跟踪，补偿脱靶量的时间延迟，得到近似真实的目标位置和速度、加速度信息；针对低频输入信号引入闭环扰动问题，提出一种快速数据扩展方法，实现低频信号到高频信号的扩展；根据传感器融合预测结果，设计跟踪前馈控制器，提高系统的响应速度。仿真结果和实验结果均表明该前馈方法能够对CCD反馈延迟导致的跟踪误差进行补偿。实验结果表明：该方法能够大幅提高系统对高速目标的跟踪性能，在目标运动状态相同条件下，相比补偿前跟踪误差减小约83.67%。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。     

革命者——中国LED照明专辑——激光诱导下SaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层Zn，利用脉冲激光辐照样品，使得Zn掺入GaN中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学C—V法对样品进行测试，得到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂Zn后，未掺杂显n型的GaN材料转变为P型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×10^18cm^-3。利用二次离子质谱方法对Zn含量进行测量，样品表面Zn原子的浓度最大约5．63×10^20cm^-3，Zn原子的浓度随深度的增加而减少和空穴浓度分布类似，由此推测p型激光诱导掺杂的机理是扩散。而对P—GaN材料进行再掺杂，样品表面附近的载流子浓度显著增加，在表面附近最高也达到约为3×10^18cm^-3。结合俄歇能谱对Zn原子浓度及其深度分布进行测量，测量结果表明在表面附近的Zn原子浓度很高，约为7×10^20cm^-3，并且浓度随深度增加而减小。改变激光辐照时间，样品表面的空穴浓度也发生变化，最大的空穴浓度约为5．8×10^18m^-3。试验结果表明激光诱导掺杂的方法对于GaN的P型掺杂是行之有效的。本方法原则上可以应用于GaN基材料的各种器件上。     

采用CaO-SiO_2-CaF_2渣系去除硅中杂质硼

采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773～1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。     

两步腐蚀法制备多晶硅绒面

采用两步化学腐蚀法在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,其中两步腐蚀法包括酸-碱两步腐蚀法和酸-酸两步腐蚀法。通过表面形貌SEM和反射谱的测试,详细地研究了不同腐蚀条件和腐蚀溶液制备绒面的形貌和光学特征。实验发现,当腐蚀速率较快时,多晶硅的绒面形貌会出现大量的晶界和针孔效应,并分析了其形成原因。同时,采用酸-碱两步腐蚀法的效果优于酸-酸两步腐蚀法的效果。最后,用PECVD在绒面上沉积SiNx减反射膜,使表面的反射率在600～800nm范围内降到3%左右,达到了良好的减反射效果,得出了最优的绒面制备方案。