一种用于隐写测评的图像纹理复杂度估计方法

在评估图像隐写算法安全性及隐写分析性能时,隐写嵌入率等参数是重要的评价指标,而图像纹理差异对评价的影响很容易被忽略。为此,基于图像高维统计模型,提出一种新的针对隐写应用的图像纹理复杂度度量方法,用于衡量图像间的纹理差异。根据纹理复杂度对图像进行分类,单独在每一类不同纹理复杂度的图像集上评估隐写分析的检测性能。实验结果表明,该方法能有效地评价隐写的安 全性。     

冲击系数对桥梁汽车荷载效应的影响分析

通过以简支梁桥为研究对象,列举公路桥梁相关规范中冲击系数的计算方法,使用公路交通行业里常用的简支空心板桥的标准图来进行结果比较,为分析冲击系数对桥梁汽车荷载效应的影响提供参考。     

外光反馈下VCSELs噪声灵敏性的理论研究

从速率方程出发，仿真得到VCSELs在不同腔体结构、自发辐射因子和线宽限制因子情况下，相对强度噪声随外光反馈水平的变化规律。结果表明：减小电流孔径或线宽增强因子可以降低VCSELs对外光反馈的灵敏性，改变自发辐射因子对此影响不大。而传统边发射激光器不属于微腔结构，对外光反馈的抑制能力较弱。     

VCSOA中光双稳环宽控制的理论分析

基于法布里珀罗(FP)腔光束干涉理论,建立垂直腔半导体光放大器(VCSOA)的双稳模型.针对近期实验参数,仿真研究了透射模式下VCSOA的双稳特性,找到实现双稳环宽控制的3种基本途径,即适当增大偏置电流、保持偏置与阈值比不变情况下提高顶端面反射率、减小初始相位失谐量都会使双稳环宽变宽.     

VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究

根据多模速率方程,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器(VCSELs)和边发射激光器(EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明,与单模情况相比,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到,VCSELs边模抑制比(SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时,边模强度同比例增大、主模强度减小,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。     

基于现代信息技术的直流稳压电源教学设计

以直流稳压电源项目为载体,利用现代信息技术,借助世界大学城平台和Multisim仿真软件,将教学单元设计为创设情境、下达任务、原理分析、仿真实训、扩展应用、任务评估六个教学环节,将抽象的理论知识形象化,激发了学生的学习兴趣,取得了较好的教学效果。     

垂直腔面发射激光器DBR结构参数的优化设计

采用光学传递矩阵法 ,研究了生长偏差对分布布拉格反射 (DBR)结构反射特性的影响 ,并探讨了两种DBR结构改进方案。结果表明 ,周期厚度偏差将使DBR反射谱发生较大偏移 ,在相位匹配条件下减小高折射层厚度可以降低DBR吸收损耗、提高反射率 ,反向改变顶层和底层DBR周期厚度可以提高垂直腔面发射激光器边模抑制比     

一种变频率约束限的结构拓扑优化方法

针对仅频率约束和重量最小的结构拓扑优化问题,基于ICM(独立、连续、映射)方法和渐进结构优化方法的思路,提出了一种变频率约束限的结构拓扑优化方法.在优化迭代循环的每一轮子循环迭代求解开始时,为了控制拓扑设计变量的变化量,依据结构频率和其约束限,形成和引进了新的频率约束限.另外,建立了单元删除阈值和几轮迭代循环的单元删除策略.为了确保优化迭代中结构非奇异和方法具有增添单元的功能,在结构孔洞和边界周围引入了一层人工材料单元.结合拉格朗日乘子法,形成了一种新的连续体结构的拓扑优化方法.给出的算例表明该方法没有目标函数的振荡现象,且验证了该方法的正确性和有效性.     

多次外光反馈下垂直腔面发射激光器非线性动态特性理论研究

在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型，利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明，短外腔时，光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的余弦关系；长外腔时，随外腔长增加，垂直腔面发射激光器依次经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域，增大外腔反射率时同样存在这些非线性区域，但出现顺序相反。进一步得出：考虑单次反馈时由于忽略了占有较多能量的高次反馈导致上述非线性效应偏弱；增大自发辐射因子或减小线性展宽因子可抑制系统的非线性行为。     

垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究

基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)双稳模型,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现.结果表明,在阈值附近(大于阈值的93%)和初始相位失谐量为负的情况下,输出光功率出现双稳态.偏置电流为阈值的98%时,输入光功率在5.5μW和2.2μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好.同时,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律.