IC抗辐射加固的方法

本文主要介绍电离辐射引起的ＣＭＯＳ集成电路的失效机理，并结合我所研制的Ｌ５４ＨＣＴ型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。     

扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究

对半导体工艺的需要，本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。     

高温远红外节能涂料在铸管热处理炉上的应用

张钢采用高温远红外节能涂料喷涂铸管热处理炉衬表面,运行表明,炉膛温度提高50℃左右,炉体寿命延长l倍,天然气消耗平均降低11m^3/t,取得较好的经济效益。     

利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.     

多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究

本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。     

蓄热燃烧技术在铸铁管热处理炉上的应用

介绍了蓄热燃烧技术在球墨铸铁管热处理炉上的应用,重点介绍了热处理炉结构特点、技术性能和蓄热式燃烧系统。     

CMOS/SOD电路的高温工作特性

采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。     

罩式退火炉微机控制

张店钢铁厂在可控气氛电罩式嫁火炉上，应用ＴＣＷ温度程序控制，实现了按设定的热处理工艺曲线进行自动运行，对露点温度无误差自动补偿；自动记录和显示内外罩温度以及系统事故和自动报警；掉电保护和邦联自诊断等。消除了操作失误，克服了炉温不均现象，使冷轧带钢质量稳定，生产效率提高。     

步进梁蓄热式加热炉计算机控制系统

加热炉是轧钢生产中的主要耗能设备,因此完善加热炉的控制系统对适应轧钢生产节奏和节能降耗是至关重要的.步进梁蓄热式加热炉控制系统根据工艺要求主要分为钢坯入炉控制、步进机构控制和炉内坯料跟踪、燃烧控制、炉压控制等.随着计算机PLC控制技术高速发展,一次仪表精度、调节阀门的性能提高,加热炉的控制技术也越来越成熟.     

新型PSOI LDMOSFET的结构优化

针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻.PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×101 2cm-2.对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到1 6V,器件有源区的温度降低了50℃.结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本.