无线无源声表面波传感器研究进展

声表面波（SAW）传感器是一种无线无源传感器,在无源传感、适应恶劣环境等许多方面具有普通传感器不能实现的优点.阐述了声表面波器件的原理和结构特点,并对射频信号收发、信息处理等关键技术进行详细论述,综述了近些年国内外的相关研究现状,并进行了总结与展望.     

低辐射薄膜的研究进展

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.     

不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.     

FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。     

光谱法控制溅射速率的研究

在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方法在实际应用中的具体过程。     

压电变压器的研究进展

压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压，同传统的电磁变压器相比较，具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点。本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法，以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器，分析了现阶段压电变压器存在的问题，并展望了压电变压器的发展方向。     

铁电阴极的发射机理及相关问题探讨

铁电阴极具有能耗小、响应速度快、真空要求低、制备简单等优点,本文重点讨论了对铁电阴极两种不同发射的解释--极化反转和等离子体发射,并对铁电阴极的制备、工作强度、典型应用等问题作了简要分析.     

溅射膜电极与氧化锌压敏陶瓷的界面机制研究

利用溅射法制备半导体陶瓷表面的电极有着广阔的产业化前景,但关于溅射膜电极与陶瓷表面的界面机制研究尚鲜有报道。本文采用磁控溅射法在ZnO压敏陶瓷表面制备了Cr+Cu电极,通过X射线光电子能谱等技术研究分析了Cr/ZnO的界面反应及界面成分。研究结果表明:常温下Cr膜在氧化锌表面的沉积模式为混态生长模式,在Cr的初始沉积阶段,Cr价层电子与氧化锌表面存在电子转移作用,有氧化态的Cr生成;随着覆盖度的增加,电子转移逐渐减弱,最后Cr完全呈现为金属态的中性吸附。该界面反应生成的化合物对溅射膜电极的欧姆接触,附着力等性能有重要作用,而且能有效阻止电极元素Cu或Ag的纵向扩散。     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。