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本文给出了一种VOD系统流服务策略-SVTR策略,及该策略下的调度算法和允许控制条件,模拟对比测试显示,该策略能有效提高系统的整体利用率和服务容量。 相似文献
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本文描述会议与合著系统的多媒体信息存储管理技术,该系统客户机/服务器体系结构,采用本地数据库(LDB)和中央数据库(CDB)两级存储,对CDB中的我媒体数据分级共享策略,很好地支持多媒体数据的存储和多种方式的查询,并支持对服务器的并发访问。 相似文献
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采用Nb-Si复合变质剂对钒白口铸铁(1.70% ̄1.82%V)进行变质处理,并制定了五种热处理工艺。结果表明,变质处理可以改善钒白口铸铁的组织和性能。变质处理后钒白口铸铁的冲击韧性与高钒(8.38%V)白口铸铁相当,而其耐磨性则比高钒白口铸铁有大幅度提高。 相似文献
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为提高低钒白口铸铁的机械性能,采用稀土和75硅铁作为变质剂.进行变质处理,使铸铁的铸态碳化物呈断网状并聚化,细化了基体组织,改善了晶界状态。经热处理后,低钒白口铸铁冲击值可达18.78J/cm2,比变质前提高了127% 相似文献
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辉石四面体中有两种键。一种为桥键(以下简写为br),将四面体连接到键内;另一种为非桥键(以下简写为nbr)。各四面体皆有两个桥式键和两个非桥式键。NaM~(3 )Si_2O_6辉石中四面体内Si-O平均距离取决于M~(3 )离子的大小。设M~(3 )离子的大小影响桥键Si-O(br)距离和非桥键Si-O(nbr)距离,则其差值d_(br-Δ)和d_(nbr-Δ)与M~(3 )离子大小无关。式中,△为NaM~(3 )Si_2O_6辉石与NaAlSi_2O_6辉石中四面体Si-O平均距离((?):Prewitt和Burnham,1966)间的差值,d_(br-Δ)为Si-O(br)距离的平均值与△之间的差值。 Si-O距离依赖于非四面体阳离子的电负性、电子结构及其大小,这一点Ohashi(1981)已对NaM~(3 )Si_2O_6辉石作了检测。在Sc-V-Al序列中,d_(br-Δ)随着M~(3 )离子的电负性的增强而减小,而d_(nbr-Δ)则随着电负性的增强而增大。在该序列中,八面体位置被在t_2g态中有一个以上的空3d轨道的M~(3 )离子占据。在Cr-In-Fe序列中,Si-O(nbr)距离的平均值随电负性的增强而增大,而差值d_(br-Δ)随电负性的增强而减小。在该序列中,八面体位置被在t-2g态中不含空3d轨道的M~(3 )离子占据。本次研究的目的就是弄清NaTiSi_2O_6辉石是否具有以上相关关系。 相似文献