基于复功率的电网电压不平衡条件下并网逆变器控制策略

针对电网电压不平衡条件下并网逆变器故障穿越问题,提出一种基于复功率静止坐标系并网逆变器控制策略,与传统旋转坐标系控制策略不同,本文提出的方法通过合并有功、无功功率脉动分量控制6个变量。利用两个调节系数将控制目标组合后实现具有限流功能的协调控制,不仅保证了电网电压不平衡情况下并网逆变器输出有功、无功功率连续调节,同时并网电流峰值维持在额定电流范围内,提高了系统可靠性。最后通过实验验证了提出方案的有效性。     

基于直接功率控制双馈风电系统最大功率点跟踪

针对风电系统在最大功率点跟踪(MPPT)阶段对系统动态响应的要求,在双馈感应发电机(DFIG)中提出了一种基于直接功率控制(DPC)的MPPT控制策略。该控制策略可在两相静止坐标系下实现,无需锁相和旋转坐标变换,简化了系统控制结构;采用基于滑模控制(SMC)的DPC方法,具有动态响应快、鲁棒性强的优点。仿真和实验均表明了该控制策略的正确性和有效性。     

抛物线型滑模频移孤岛检测方法的参数优化

孤岛检测是并网型光伏逆变器接入分布式发电系统的一个重要要求,其性能的优劣直接影响逆变器的安全可靠运行。孤岛检测的性能取决于所采用的孤岛检测策略,而其中参数的合理设置至关重要。分析了抛物线型滑模频移(PSMS)孤岛检测法的工作原理,通过对公共耦合点(PCC)电压频率在电网失压后偏移轨迹的分析,推导出不同参数下PSMS算法孤岛检测的盲区分布,并详细给出了无检测盲区的相关参数的优化过程。最后,通过实验验证了该方法的正确性及可靠性。     

不平衡电网电压下基于滑模变结构控制的双馈风电系统转子侧变流器控制策略

在两相静止坐标系下,建立了基于功率控制的双馈电机统一的数学模型,该模型在平衡和不平衡电网电压条件下均适用。采用基于滑模变结构的直接功率控制方法实现了对双馈风电系统转子侧变流器的控制,该方法控制结构简单,动态响应快,鲁棒性强。在不平衡电网电压条件下,提出了一种新型的功率优化补偿控制策略。该控制策略可直接对转子侧变换器的功率给定进行补偿,无需对定、转子电流进行正、负序分解,简化了系统控制结构;更重要的是其能有效降低定子电流扰动对功率补偿量的影响,系统鲁棒性得到明显提高。仿真和实验结果均证明了该控制策略的正确性和有效性。     

高温超导DC—SQUID平面式梯度计

在10×10mm     

GPIB接口板AX5488在Labview中的应用

介绍了GPIB接口板AX5488在Labview编程环境中，调用其动态连接库实现对带有GPIB接口的智能仪器进行程序控制的方法。该方法在研制的R-T曲线虚拟仪器测试系统得到了很好的应用。使用该方法还可以使类似的硬件设备在Labview中都得到应用。     

高温超导薄膜器件的计算机数据采集测量系统

用ＩＥＥＥ－４８８总线将电流源、纳伏表和锁相放大器等连接构成一个计算机测量分析系统，采用基于Ｗｉｎ－ｄｏｗｓ的Ｌａｂｖｉｅｗ测量程序，可实现对高温超导薄膜器件进行Ｒ－Ｔ曲线、Ｉ－Ｖ曲线、Ｘ－Ｔ曲线等的测量，通过ＡＤ卡采集数据，还可实现ＳＱＵＩＤｓ器件所测电磁信号的频谱分析，测量结果准确可靠，而且可以精确标定。     

基于全复数型滤波器的三相锁相环技术

近年来,前置复数滤波器(CCF)的锁相环(PLL)技术成为电网同步研究中的热点.然而,现有的CCF-PLL已被证实其数学模型和控制性能与传统的实数滤波器型PLL基本一致.为提高系统的控制性能,该文提出一种CCF结构完全复数化的三相PLL技术.首先,给出前级滤波结构关于电压的传递函数,验证该结构可以准确分离出电网的基波正负序分量.其次,进行前级结构关于基波正序相位的数学建模,结合后级的同步旋转坐标系PLL,构建整个PLL系统关于相位的数学模型,并利用三阶最佳校正法对系统进行设计,确定相关控制参数.研究发现,若采用与CCF-PLL相同的开环截止频率,所提PLL的中频段宽度更宽、相位裕度更大.另外,还设计了多重全复数滤波结构级联的三相PLL,以便更彻底地抑制电网谐波.最后,通过仿真和实验进行验证,结果表明,相比CCF-PLL,所提PLL的控制性能更佳.     

基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响

研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响。采用脉冲激光沉积（PLD）法在0°～6°斜切（001）SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜。用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析，用标准四引线法测定薄膜电阻．温度关系，从而确定薄膜的超导电性能。结果表明，随斜切角度的增大，薄膜晶体质量下降，晶格弯曲畸变程度增大，超导临界转变温度降低，转变宽度增大。     

MgB2超导薄膜的化学气相沉积

探索了采用化学气相沉积法，在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的相纯度不理想，扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙，用标准四引线法测得薄膜的起始转变温度（Tconset)为30K，零电阻温度(Tc0)为18K。