宁夏固原市主要农作物生产水足迹分析

水足迹理论为解决水资源短缺问题提供了新的研究方向。基于水足迹理论,借助CROPWAT8. 0软件,利用《宁夏统计年鉴》和《宁夏水资源公报》等资料,计算分析了宁夏固原市2009-2017年主要作物的蓝水、绿水和灰水足迹。结果表明:蓝水足迹占比最高,绿水足迹次之,灰水足迹最少。表明固原市农作物生产用水以蓝水为主,绿水为辅,灰水足迹虽然占比较少但逐年递增。建议当地根据水资源具体情况,调整作物种植模式,提高绿水利用率,减少氮肥使用率,使有限的水资源获得更大的效益,从而满足粮食安全和水生态安全的需求。     

在稳定中健康发展

在忙碌、奋斗与希冀中,春天的脚步越来越近……当各种经济数据"纷纷出炉"的时候,我们回望走过的一年。2012年,在全行业的共同努力下,面对种种不利因素和艰难环境,建材行业仍然取得了较好的运行成果。全国建材规模以上的企业今年完全工业总产值预计3.8万亿元,占全国工业总产值的4.4%,比     

计算深井泵装置参数的诺模图

加工整理深井泵装置的示功图,以及计算深井泵抽油井的设备和产量的工作是十分繁重的。常常需要计算下述各量:     

钢管3PE防腐生产加热过程自适应滑模控制

3层PE(3PE)涂层结合了环氧粉末和聚乙烯涂层的优点,是优秀的天然气和成品油长输管线的防腐手段.钢管加热温度是防腐作业的关键参数,决定了防腐涂层性能的优劣.本文分析了钢管加热过程系统不确定性的界定方法,提出了一种基于积分型切换函数的钢管3PE防腐生产加热过程自适应滑模控制算法.该控制算法具有全局鲁棒性,能够快速收敛.运用Lyapunov方法分析了系统稳定性.通过对长庆油田靖边防腐管厂3PE防腐生产线的仿真研究,验证了本文方法的有效性.     

全面分析管道三层PE防腐层缺陷（一）：翘边缺陷

本文分析了钢管三层PE外防腐成型过程中形成翘边缺陷的原因及其影响因素，提出了防止和控制翘边缺陷形成的技术工艺措施。     

两种胡桃醌脂质体包封率测定方法研究

目的:建立两种胡桃醌脂质体包封率的测定方法,并对测定结果进行比较。方法:分别采用透析法和葡聚糖凝胶色谱柱法对脂质体中的游离药物进行分离,然后使用紫外分光光度计对脂质体包封的药物进行测定进而计算包封率。结果:透析法透析14h达到稳定;葡聚糖凝胶色谱柱法在30min内即将游离药物与脂质体进行有效的分离。胡桃醌测定波长为425nm,在0.005~0.04mg/m L的浓度范围内,线性关系良好,经回收率实验、精密度及重现性实验证实两种方法可行。结论:对比两种方法可知透析法耗时较长测定的包封率值偏低,葡聚糖凝胶色谱柱法测定所需时间更短,更便捷,测出的包封率更接近真实值。     

三层PE兼容泡沫夹克保温管生产线

三层PE防腐与泡沫夹克保温是两种结构不相同的钢管防腐层,其机械化成型生产线的设备和布置各不相同。三层PE防腐生产线,通过调整部分设备以及采用部分在用设备结构的转换措施等,即可以使其满足泡沫夹克管的生产。因此在同一生产线上可以完成钢管的三层PE管和泡沫夹克保温管的成型。文章从成型技术、设备布置、传动工艺、兼容转换等方面介绍了该生产线的结构及功能,该生产线已在大庆油田推广应用,所生产的各种规格的防腐管完全达到相关标准要求。     

含铌冷轧DP780钢的连退工艺对组织及性能的影响

 通过成分工艺优化,在传统冷轧铁素体和马氏体双相钢DP780的显微组织上引入了一定体积分数的残余奥氏体,研究了冷轧退火工艺参数对双相钢DP780的显微组织和力学性能的影响。通过调整连续退火工艺来控制显微组织中一次铁素体、二次铁素体、马氏体、残余奥氏体的比例、尺寸、形貌、分布,同时获得了连退工艺参数-显微组织-力学性能的本质关系。结果表明,通过在传统冷轧铁素体和马氏体双相钢的组织上引入了体积分数为5%～7%的残余奥氏体,不仅可以获得[ReL/Rm≤0.5]的超低屈强比型冷轧DP780,也改善了成型性能。     

钢化玻璃绝缘子冷热冲击线设计

为南京电瓷总厂引进意大利的钢化玻璃绝缘子生产线配套设计的一条冷热冲击线是一台既大且复杂的设备。作者介绍了该设备的机械结构部份及电气控制部分，并说明了设计特点及调试技术等。     

氮化烧结制备Si3 N4 -SiC复相陶瓷

以酚醛树脂作为结合剂,以冷等静压方法成型制备氮化烧结Si3N4-SiC复相陶瓷,研究了结合剂对坯体强度和生成材料物相组成的影响。坯体强度随酚醛树脂含量增加而提高,最高强度达到23MPa,实现坯体可直接机械加工。经过氮化烧结,生成材料物相中含有SiC,含量达到7.1%～15.7%,并观察到细小的等轴颗粒αSi3N4、棒状晶粒βSi3N4以及少量针状和晶须状Si3N4。SiC颗粒与Si3N4结合在一起,被Si3N4包裹。Si3N4-SiC复相材料的生成机理:300～600℃,酚醛树脂发生裂解,形成单质C,残碳率为50%;1000～1100℃,C开始与Si发生固相反应,形成SiC;1100℃后,Si开始发生氮化反应,生成Si3N4。