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1.
智能仪器内部的数据库设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
孙玉轩  程东红  陈涛 《测控技术》2000,19(10):19-20
介绍了利用嵌入式计算机,在智能仪器内部建立数据库的构思及实现方法,并给出了在HZL-20型放电管测试仪中实现的数据库实例。  相似文献   
2.
介绍在放电管测试仪中以单片机系统为核心,控制产生高压锯齿波的原理和详细电路图.在高压、大电流工作情况下,为提高整个系统的稳定性、可靠性和安全性,测试仪中进行了电磁兼容设计并采取了一些有效的抗干扰措施.  相似文献   
3.
本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade的器件.该器件对于254 nm和365 nm的光照均具有良好的响应特性,在254 nm光照条件下的光响应度可达44.8 A/W,可以应用于光电探测领域.  相似文献   
4.
嵌入式计算机系统在智能仪器中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
总结多种嵌入式计算机实用系统设计,依据经济、实用、快速的开发原则,设计出一种适用于智能仪器的嵌入式计算机系统,可供施工智能仪器开发的声合借鉴或直接使用。  相似文献   
5.
6.
室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.实验结果表明,薄膜厚度为47 nm时,薄...  相似文献   
7.
结合《某类军用特殊装备业务管理系统》(简称《某类军用特装》的开发实践和现有的MIS管理信息系统开发一般技术,提出了新的军事管理信息系统MMIS的初步设计开发构想,就《某类军用行装》开发中选用的开发平台和开发软件对相关技术作了进一步的介绍。  相似文献   
8.
利用单片机产生高压锯齿波和系统抗干扰设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍在放电管测试仪中以单片机系统为核心,控制产生高压锯齿波的原理和详细电路图。在高压、大电流工作情况下,为提高整个系统的稳定性、可靠性和安全性,测试仪中进行了电磁兼容设计并采用了一些有效的抗干扰措施。  相似文献   
9.
<正>目前,图书馆业已开始关注并利用新兴技术和新理念促进自身的创新和发展,无论是在服务方向、服务内容、服务形式还是流程模式上都体现了时代的新鲜元素。人工智能(AI)的深入应用和5G通信技术的加入,逐步实现了物联网和智能服务场景的构建,5G通信的低功耗和高速度推动了在线服务的革命性发展,因此,研究“5G+AI”技术集成环境下的读者服务策略具有重要意义。  相似文献   
10.
本文在建立了合适的数学模型后,对开关电源的开关状态在其输入端形成的电磁干扰频谱进行了模拟运算,并将实际测得的干扰频谱结果和模拟运算结果进行了比较。最后讨论了加入理想电源滤波器对这些干扰的抑制作用。  相似文献   
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