2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.     

OV7670和ADV611的图像采集与压缩系统设计

根据磁悬浮试验线通信基站诊断功能的需要,设计了一种基于OV7670和ADV611的图像信息采集与压缩传输系统。使用Verilog语言实现了基于SCCB总线协议的OV7670图像传感器控制接口,通过配置OV7670内部寄存器使其输出符合CCIR-601格式的数字图像数据流。图像压缩部分采用基于小波变换的ADV611图像压缩编码芯片,在控制ADV611的量化带宽的计算中,采用了基于PID控制的量化带宽的算法,得到恒定的码率。     

高速高精度CORDIC处理器的ASIC实现

针对数字信号处理领域复数运算的要求,实现了一种16位高速高精度复数运算的通用CORDIC处理器。电路采用半定制设计流程,在200M时钟频率下通过Nanosim后仿真表明,电路达到了高速高精度的设计要求。可广泛应用于雷达、信号处理、通信等涉及到复数运算的领域。     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0．35μm5VCMOS工艺实现一个输入电压2．5V、速度1MS／s、精度12位的逐次逼近型MD转换器。Hspice仿真结果表明：在5V供电电压下,速度可达20MHz,准确比较0．2mV电压,有效校准20mV输入失调,功耗约1mW。     

氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响

研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN／GaN HEMT器件。     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性.该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用.     

航空发动机柔性转子单面平衡技术及超转试验研究

用单平面平衡技术完成了涡轴发动机动力涡轮转子的高速动平衡试验,在此基础上进行了105%额定工作转速的超转试验,结果表明动力涡轮转子的单平面高速动平衡技术同样可取得理想的平衡效果,转子具有在105%额定工作转速下长时间安全工作的能力,动力特性设计合理.     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.     

基于DDR IP核视频图像缓存的设计与实现

在现代图像采集显示系统中,常常需要用到大容量、高速度的存储器,DDR为当前存储器应用的主流.采用了64 bit数据位宽的DDR IP核利用DDR的双倍数据传输速度的优点并结合了双口RAM的高速缓存特点,基于Ahera公司的Cyclone Ⅲ系列FPGA开发板在两种平台下实现了数据传输和图像缓存,并使用逻辑分析仪Sign...     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性。该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用。