一种低温度漂移曲率补偿带隙基准源设计

针对传统带隙基准源无法补偿高阶温度项导致温度系数较差的问题,提出了一种高阶曲率补偿电路。电路利用VBE线性补偿原理,使用特定的电路结构产生与双极型晶体管基极-发射极电压开口曲率相反方向的补偿电压,达到降低基准电压高阶温度项的目的。电路基于SMIC 0.18μm MS and BCD工艺进行流片验证,测试结果表明,温度由-40℃变化到125℃时,使用曲率补偿后带隙基准电压的温度系数由14.3ppm/℃降低到了3.18ppm/℃。     

一种用于MEMS电容式加速度计的116dB动态范围CMOS读出电路

A high stability in-circuit reprogrammable technique control system for a capacitive MEMS accelerometer is presented. Modulation and demodulation are used to separate the signal from the low frequency noise. A low-noise low-offset charge integrator is employed in this circuit to implement a capacitance-to-voltage converter and minimize the noise and offset. The application-specific integrated circuit （ASIC） is fabricated in a 0.5 /μm one-ploy three-metal CMOS process. The measured results of the proposed circuit show that the noise floor of the ASIC is -116 dBV, the sensitivity of the accelerometer is 66 mV/g with a nonlinearity of 0.5%. The chip occupies 3.5×2.5 mm2 and the current is 3.5 mA.     

高精度低噪声MEMS陀螺仪电容读出电路

在研究电容式微机械陀螺信号通路工作原理的基础上,分析了影响电容式读出电路精度的各种非理想因素并进行了量化计算,设计了一款低噪声电容读出电路。该芯片采用高频调制原理实现了低频噪声的转移,同时提出了一款具有高电源抑制比的低噪声运算放大器,采用连续时间的电容读出方法研制了微机械陀螺ASIC电路。该芯片采用0.5μm CMOS工艺,芯片面积为3.5mm×3.4 mm,测试结果表明,该单片ASIC的输出级噪底为-117 dB,当陀螺仪量程为±300°/s时,分辨率可以达到0.00035°/s。     

一款CAN总线收发器芯片的电路设计

文中完成一款应用于CAN总线的收发器芯片的电路设计.重点阐述了该收发器芯片的功能框图及其工作原理,特别是接收模块和过压保护的设计.该电路采用5V电源,驱动总线负载为R=60Ω、C=200pF.仿真结果表明该电路工作时的平均电流为35.7mA,电路总的延迟时间为160ns,具有较好的过压保护功能,可应用于高速CAN总线通讯中.     

多通道 １４ 位 １２５ＭＳＰＳ 流水线型 ＡＤＣ 设计

针对通信系统对多通道、高速、高精度数据转换器国产化的迫切需求,论文设计了一款基于流水线架构的八通道14位125MSPS模数转换器,采用多位量化增益数模单元实现了流水线的第一级子级和最后一级采用4位flash ADC,多位量化较好地抑制了后级电路的噪声和失真衰减。采样保持电路采用采样电容翻转式结构实现。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明,在输入信号频率为70MHz,采样速率为125MHz时,无杂散动态范围为87dB,信噪比为72.5dB,有效位数约为11.75比特。     

一种新的硅MEMS陀螺仪四相位闭环集成驱动电路

微机械陀螺的闭环驱动电路中通常采用两相位同频信号维持驱动环路谐振,但系统引入误差较大。提出了一种新的硅微机械陀螺四相位驱动系统,将四相位半频驱动电压加载到具有四组驱动电极的结构上,使系统维持在谐振频率上。采用该驱动电路,耦合到输出端的干扰信号为谐振频率的一半,只需采用适当的高通滤波器即可消除干扰信号对输出的污染,同时提高了系统的信噪比。采用0.5 μm CMOS工艺进行设计,版图尺寸约为2.8 mm×2.8 mm,测试结果表明该四相位驱动电路能很好地满足陀螺系统驱动模态维持谐振的要求。     

一种10位160 MS/s采样保持电路的设计

设计了一种用于流水线型A/D转换器的10位160 MS/s CMOS采样保持器.电路采用电容翻转式结构,以及运用增益提高技术(gain-boosting)的折叠式共源共栅放大器,以满足高速、高精度的要求;优化采样电容和运算放大器指标,以保证噪声容限和线性指标;优化辅助运放,从而保证运放的稳定性.HSPICE仿真结果表明,在78.83 MHz输入信号、160.34 MHz工作频率下,输出信号的无杂散动态范围为77.3 dB.     

功率MOS管的设计与保护

对功率MOS管和功率双极管的优缺点进行比较,介绍功率MOS管的安全工作区（SOA）,重点分析了影响功率MOS管安全工作的原因以及为避免这些不利因素而采用的保护技术,对斜率控制、过温、过压、过流等保护措施进行了详细的说明。